[發明專利]掩膜板制作方法及掩膜板有效
| 申請號: | 201910020721.1 | 申請日: | 2019-01-09 |
| 公開(公告)號: | CN109830511B | 公開(公告)日: | 2020-10-16 |
| 發明(設計)人: | 劉周英 | 申請(專利權)人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G03F1/62 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258 | 代理人: | 娜拉 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 掩膜板 制作方法 | ||
本發明涉及一種掩膜板制作方法及掩膜板。掩膜板制作方法,包括:形成第一圖案化光刻膠層;形成光刻膠圖案;形成電鑄層;形成掩膜板。掩膜板采用本發明的掩膜板制作方法制成。本發明的掩膜板制作方法及掩膜板,能夠減小電鑄層的開口的角度,以增大發光面積、提高電鑄層厚度的均一性,同時,還能夠使電鑄層的厚度可調。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,特別是涉及一種掩膜板制作方法及掩膜板。
背景技術
隨著有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)顯示面板對高像素密度(Pixels Per Inch,PPI)的追求,在保證蒸鍍RGB發光層的精細金屬掩模板(FineMetal Mask,FMM)的強度的前提下,減小掩膜板的厚度,以提高顯示面板的像素密度成為了現階段的研究方向。
發明內容
本發明的目的是提供一種掩膜板制作方法及掩膜板,所述掩膜板的厚度根據需求可調節,所述制造方法制造得到的掩膜板的開口精度高,能夠滿足精細金屬掩模板的要求。
一方面,本發明實施例提供了一種掩膜板制作方法,包括:形成第一圖案化光刻膠層,在母板上涂覆第一光刻膠層,并圖案化處理形成第一圖案化光刻膠層,第一圖案化光刻膠層包括第一支架和第一開口區域;形成光刻膠圖案,在第一支架和母板通過第一開口區域形成的暴露部分的表面上涂覆第二光刻膠層,并圖案化處理形成在第一圖案化光刻膠層上層疊的第二圖案化光刻膠層,所述第一圖案化光刻膠層和所述第二圖案化光刻膠層構成光刻膠圖案,第二圖案化光刻膠層包括第二支架和第二開口區域,第二支架層疊于第一支架上并形成支撐架,第二支架的下表面完全覆蓋第一支架上表面,第二支架上表面的面積大于第一支架下表面的面積,第二開口區域與第一開口區域連通并形成支撐架之間的開口;形成電鑄層,沉積金屬層,開口內的金屬層構成電鑄層,電鑄層的厚度小于支撐架的厚度大于第一支架的厚度;形成掩膜板,將母板與電鑄層分離以形成掩膜板。
可選擇地,在形成第一圖案化光刻膠層的步驟中,在形成第一圖案化光刻膠層的步驟中,第一支架為柱狀結構體,且于第一圖案化光刻膠層中呈行列分布,第一開口區域為每兩個相鄰第一支架之間的空隙相互連通形成的網狀通道;第一支架的側面與母板形成的角度α滿足:180°α≥90°。
可選擇地,角度α滿足:120°α90°,或者,α=90°。
可選擇地,第一支架的橫截面為矩形或等腰梯形,第一支架的側面為平滑表面;第二支架的橫截面為倒梯形,第二支架的側面為平滑表面。
可選擇地,形成光刻膠圖案的步驟中,第二支架的側面與母板形成的角度θ滿足:90°θ30°。
可選擇地,形成光刻膠圖案的步驟中,角度θ根據第一支架的厚度確定。
可選擇地,形成電鑄層的步驟中,金屬層的沉積厚度根據第二支架的側面與母板形成的角度θ確定;電鑄層具有接觸母板的下表面和與下表面相對的上表面,上表面在相鄰兩個支撐架之間的距離D與角度θ具有遞減比例關系,遞減比例關系為△D:△θ=1:5。
可選擇地,形成光刻膠圖案的步驟中,第一支架上表面的面積等于第二支架下表面的面積,第二支架上表面的面積大于第二支架下表面的面積。
可選擇地,第一圖案化光刻膠層的厚度為5μmμm~8μmμm,第二圖案化光刻膠層的厚度為10μm~20μm。
另一方面,本發明實施例還提供了一種掩膜板,掩膜板采用上述的掩膜板制作方法制成。
本發明實施例提供的掩膜板制作方法及掩膜板,該方法首先依次制作第一圖案化光刻膠層和第二圖案化光刻膠層的方式形成了光刻膠圖案,然后根據光刻膠圖案的支撐架和開口,一次成型制作電鑄層,并將母板與電鑄層分離以形成掩膜板。掩膜板開口精度高,掩膜板厚度根據需要可靈活調節,該種掩膜板完全適應高精細金屬掩膜板的需求。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





