[發(fā)明專利]一種近紅外光發(fā)光材料及包含其的發(fā)光裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910020583.7
• 申請日: 2019-01-09
• 公開（公告）號: CN110157417B
• 公開（公告）日: 2022-05-10
• 發(fā)明（設計）人: 劉榮輝;劉元紅;江澤;高慰;李彥峰;崔磊
• 申請（專利權）人: 有研稀土新材料股份有限公司;國科稀土新材料有限公司
• 主分類號: C09K11/64
• 分類號: C09K11/64;C09K11/59;H01L33/50
• 代理公司: 北京智橋聯(lián)合知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11560
• 代理人: 洪余節(jié)

1.一種近紅外發(fā)光材料，其特征在于，其包含化學式為Q_qR_rAl_tSi_uN_v的無機化合物，R為Ca和Sr；Q為Cr、Eu和Yb；0.005≤q≤0.05，0.8≤q+r≤1.2，0.8≤t≤1.2，0.8≤u≤1.2，2.4≤v≤3.6；所述的無機化合物與CaAlSiN₃具有相同的晶體結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權利要求1所述的近紅外發(fā)光材料，其特征在于， (q+r):t:u:v=1:1:1:3。

3.根據(jù)權利要求1-2任一所述的近紅外發(fā)光材料，其特征在于，其發(fā)射光譜在900-1100nm范圍的最高峰值強度為A，發(fā)射光譜在700-750nm范圍內(nèi)的最高峰值強度為B，0.95≤A/(A+B)≤0.99。

4.一種發(fā)光裝置，包括熒光體和激發(fā)光源，其特征在于，所述熒光體包括權利要求1-3中任一項所述的近紅外發(fā)光材料。

5.根據(jù)權利要求4所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光裝置包含半導體芯片（2）、光轉(zhuǎn)化部Ⅰ（1）和光轉(zhuǎn)化部Ⅱ（6），光轉(zhuǎn)化部Ⅰ（1）吸收半導體芯片（2）發(fā)出的一次光，并轉(zhuǎn)換為更高波長的二次光，光轉(zhuǎn)化部Ⅱ（6）吸收半導體芯片（2）的一次光和光轉(zhuǎn)化部Ⅰ（1）發(fā)出的二次光，并轉(zhuǎn)換為更高波長的三次光，所述光轉(zhuǎn)化部Ⅰ（1）至少含有發(fā)光材料Ⅰ，光轉(zhuǎn)化部Ⅱ（6）至少含有權利要求1-3任一項所述的近紅外發(fā)光材料。

6.根據(jù)權利要求5所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光材料Ⅰ，其在半導體芯片（2）激發(fā)下，可以發(fā)射出峰值波長為580-650nm的發(fā)射光。

7.根據(jù)權利要求6所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光材料Ⅰ為選自通式M_mAl_aSi_bN_c:Eu_d或M_eSi_fN_g:Eu_n中的發(fā)光材料中的一種或兩種，其中，M元素至少含有Ca和Sr中的一種或一種以上元素，0.8≤m≤1.2，0.8≤a≤1.2，0.8≤b≤1.2，2≤c≤4，0.0001≤d≤0.1，1.8≤e≤2.2，4≤f≤6，7≤g≤9，0.0001≤n≤0.1。

8.根據(jù)權利要求5-7任一所述的發(fā)光裝置，其特征在于，發(fā)光材料Ⅰ具有CaAlSiN₃或Sr₂Si₅N₈的晶型結(jié)構(gòu)。

9.根據(jù)權利要求5-7任一所述的發(fā)光裝置，其特征在于，發(fā)光材料Ⅰ中，M為Ca和Sr元素，其中Sr元素與M元素的摩爾百分比為z，80%≤z＜100%。

10.根據(jù)權利要求5-7任一所述的發(fā)光裝置，其特征在于，半導體芯片（2）發(fā)射峰值波長范圍為350-500 nm。

11. 根據(jù)權利要求10所述的發(fā)光裝置，其特征在于，半導體芯片（2）發(fā)射峰值波長范圍為440-460 nm。