[發明專利]使用非線性濾波方案的存儲器系統及其讀取方法有效
| 申請號: | 201910018564.0 | 申請日: | 2017-01-12 |
| 公開(公告)號: | CN109509490B | 公開(公告)日: | 2023-04-07 |
| 發明(設計)人: | 陳東燮;尹弼相;孫弘樂;孔駿鎮;沈榮燮;韓真晚 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | G11C7/02 | 分類號: | G11C7/02;G11C16/04;G11C16/26;G11C16/28;G11C29/02;G11C29/50 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 邵亞麗 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 使用 非線性 濾波 方案 存儲器 系統 及其 讀取 方法 | ||
提供了非易失性存儲器系統及其控制方法。一種非易失性存儲器系統包括:非易失性存儲器件,包括多個存儲單元,多個存儲單元構成多個存儲塊并且每個存儲塊包括多個頁;以及存儲器控制器,被配置為施加位于第一讀電平的讀電壓以從多個存儲單元當中的所選擇的存儲單元讀數據,在施加導致讀失敗時傳輸命令到非易失性存儲器件以請求特定電壓范圍的多個采樣值,其中多個采樣值中的每一個與具有位于特定電壓范圍的閾值電壓的所選擇的存儲單元的數量相對應,響應于命令從所述非易失性存儲器件接收采樣值,施加非線性濾波到所接收的采樣值以生成經濾波的值,以及基于經濾波的值將讀電壓設置為第二讀電平,其中,經濾波的值中的每一個指示具有位于特定電壓范圍的閾值電壓的所選擇的存儲單元的數量,并且非易失性存儲器件還包括用于生成采樣值的位計數器。
本申請是申請日為2017年1月12日、申請號為201710022359.2、發明名稱為“使用非線性濾波方案的存儲器系統及其讀取方法”的發明專利申請的分案申請。
相關申請的交叉引用
要求于2016年1月12日向韓國知識產權局提交的韓國專利申請號10-2016-0003636的優先權,其全部內容通過引用的方式并入本文。
技術領域
本公開涉及一種半導體存儲器件,并且特別地,涉及一種能夠以非線性濾波方案確定非易失性存儲器件的讀電平的存儲器系統及其讀取方法。
背景技術
半導體存儲器件大致分為易失性半導體存儲器件或者非易失性半導體存儲器件。易失性半導體存儲器件的特征在于讀/寫速度快,并且存儲于其中的數據在斷電時消失。相反,非易失性半導體存儲器件即使在處于斷電也保留存儲于其中的數據。因此,非易失性半導體存儲器件可以存儲要保存的內容,而不管是否供應電源。
非易失性存儲器件的代表性實例是閃存裝置。閃存裝置被用作信息裝置的語音和圖像數據存儲介質,諸如計算機、蜂窩電話,智能電話、個人數字助理(PDA)、數字照相機、攝像機、錄音機、MP3播放器、手持PC、游戲機、傳真裝置、掃描儀和打印機。正在開發用于高容量、高速和低功率非易失性存儲器件的技術,以將非易失性存儲器件安裝在諸如智能電話的移動裝置中。
由于需要大容量非易失性存儲器件,因此每單元字節存儲多電平單元(MLC)或者多字節的存儲裝置變得更加普遍。然而,在包括多電平單元的存儲器系統中,存儲單元的閾值電壓包括于四個或更多個狀態中,其在受限電壓窗口內是可區分的。這樣的狀態可能由于各種原因而變換。在這種情況下,可以調節讀電壓以針對偏移的位置進行優化。
需要根據集成度的增加、規模縮小和三維單元陣列的使用,用于調節讀電壓的可靠的采樣讀操作。
發明內容
本公開的實施例最小化在采樣讀操作期間發生的噪聲的影響。
本公開的實施例的一個方面旨在提供一種非易失性存儲器系統,包括:非易失性存儲器件,包括多個存儲單元,其中所述多個存儲單元構成多個存儲塊并且每個存儲塊包括多個頁;以及存儲器控制器,被配置為施加位于第一讀電平的讀電壓以從所述多個存儲單元當中的所選擇的存儲單元讀數據,傳輸命令到所述非易失性存儲器件以在所述施加導致讀失敗時請求特定電壓范圍的多個采樣值,響應于所述命令從所述非易失性存儲器件接收所述采樣值,施加非線性濾波到所接收的采樣值以生成經濾波的值,以及基于所述經濾波的值將所述讀電壓設置為第二讀電平,其中,所述經濾波的值中的每一個指示具有位于所述特定電壓范圍的閾值電壓的所選擇的存儲單元的數量。
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