[發明專利]離子束設備用雙燈絲中和器在審
| 申請號: | 201910018562.1 | 申請日: | 2019-01-09 |
| 公開(公告)號: | CN109881174A | 公開(公告)日: | 2019-06-14 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 偉業智芯(北京)科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/46 | 分類號: | C23C14/46;H01J37/30;H01J37/305 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 102101 北京市延慶區*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 中和器 燈絲 離子束設備 雙燈絲 工作效率高 安裝維護 燈絲材料 燈絲壽命 電極組成 整機設備 中和效率 離子束 離子源 真空室 法蘭 支桿 支架 轟擊 配備 污染 | ||
本發明公開一種離子束設備用雙燈絲中和器,包括法蘭、支桿、支架、燈絲A、燈絲B、導線A、導線B、四個電極組成。由于采用獨立于離子源的中和器方式,并配備二根燈絲,中和器中和效率高,燈絲不受離子束直接轟擊,燈絲壽命長,整機設備工作效率高,燈絲材料原子不易污染真空室和工件,安裝維護方便。
技術領域
本發明涉及離子束技術領域,尤其涉及一種離子束設備用雙燈絲中和器。
背景技術
離子束濺射鍍膜或刻蝕技術為科學研究與生產提供了新工藝、新技術,為當今迅速發展的薄膜集成電路、薄膜傳感器、磁性薄膜器件、高溫合金導體薄膜等廣泛的應用領域提供了新的技術手段。
然而現在這類離子束濺射鍍膜或刻蝕設備,離子源中和器仍然用單根燈絲安裝在離子源正前方,這種設計好處是中和器完全浸沒在離子束中,中和效率高,但中和器燈絲受離子束強烈轟擊,燈絲很快變細并最終燒斷,壽命大大縮短;沒有第二根燈絲備份,在第一根燈絲燒斷的情況下不能迅速切換到第二根燈絲,容易中斷鍍膜或刻蝕工作。同時燈絲材料原子容易污染真空室,影響鍍膜或刻蝕效果。另外,中和器燈絲安裝在離子源前部,更換燈絲時需要將離子源一同從真空室中取出,操作時間長,難度大。
因此,開發一種獨立離子源的雙燈絲中和器及其重要。
發明內容
本發明的目的在于針對上述問題,提供一種離子束設備用雙燈絲中和器,所述中和器和離子源分開安裝,且有二根燈絲,中和效果好、安裝維護方便、工作時間長。
為解決以上技術問題,本發明的技術方案是:
一種離子束設備用雙燈絲中和器,包括:
法蘭,一種金屬鋼材料制成,用于固定支桿和穿孔密封安裝電極A和電極B;
支架,一種金屬鋼材料制成,用于穿孔固定所述支桿和穿孔安裝電極C和電極D;
燈絲A,一種能發射熱電子的金屬細絲,一端固定在支桿的支桿上端部位置,另一端固定在所述電極D上端;
燈絲B,一種能發射熱電子的金屬細絲,一端固定在支桿的支桿上端部位置,另一端固定在所述電極C上端;
導線A,可通過大電流的導電線,一端連接在所述電極A的上端部,另一端連接在所述電極C的下端部;
導線B,可通過大電流的導電線,一端連接在所述電極B的上端部,另一端連接在所述電極D的下端部。
所述燈絲A和燈絲B是直徑?0.2mm至?1.2mm的金屬絲。
與現有技術相比,本發明所具有的有益效果為:由于采用獨立于離子源的中和器方式,并配備二根燈絲,中和器中和效率高,燈絲不受離子束直接轟擊,燈絲壽命長,整機設備工作效率高,燈絲材料原子不易污染真空室和工件,安裝維護方便。
附圖說明
圖1為本發明的離子束設備用雙燈絲中和器示意圖。
圖2為本發明的離子束設備用雙燈絲中和器和離子源的安裝位置示意圖。
圖3為現有技術的離子源和中和器安裝位置示意圖。
圖中:1、法蘭;2、支桿;3、支架 ;4、燈絲A;5、燈絲B;6、導線A;7、導線B;11、電極A;12、電極B;13、電極C;14、電極D;21、支桿上端部;31、真空室;32、雙燈絲中和器;33、離子源;34、離子束、35、傳統中和器。
具體實施方式
以下結合附圖對本發明優選實施例進行說明,應當理解,此處所描述的優選實施例僅用于說明和解釋本發明,并不用于限制本發明。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于偉業智芯(北京)科技有限公司,未經偉業智芯(北京)科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910018562.1/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類





