[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201910018501.5
• 申請日: 2019-01-09
• 公開（公告）號: CN110911488A
• 公開（公告）日: 2020-03-24
• 發明（設計）人: 山下茉莉子;木下朋子;高橋啟太;小松香奈子
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L27/088
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 牛玉婷

1.一種半導體裝置，具備：

第一導電型的半導體部分；

絕緣性部分，設于所述半導體部分的上層部分，劃分有源區；

第二導電型的源極區域以及漏極區域，設于所述有源區內，沿與所述半導體部分的上表面平行的第一方向相互分離；以及

柵極電極，設于所述半導體部分的上方，配置于所述源極區域與所述漏極區域之間的區域的正上方區域、以及所述有源區的與所述第一方向正交的第二方向上的端部的正上方區域。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述漏極區域與所述絕緣性部分分離。

3.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，

所述源極區域與所述絕緣性部分分離。

4.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，

所述柵極電極具有：

一對第一部分，在所述第一方向上延伸；以及

第二部分，設于所述一對第一部分之間，在所述第二方向上延伸，并連結于所述一對第一部分。

5.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，

在所述柵極電極形成有第一開口部，

從上方觀察時，在所述第一開口部內配置有所述源極區域以及所述漏極區域中的一方。

6.如權利要求5所述的半導體裝置，其中，

在所述柵極電極形成有與所述第一開口部分離的第二開口部，

從上方觀察時，在所述第二開口部內配置有所述源極區域以及所述漏極區域中的另一方。

7.如權利要求6所述的半導體裝置，其中，

所述第一開口部以及所述第二開口部沿所述第一方向交替地排列。

8.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，

所述有源區的除上表面以外的表面被所述第二導電型的半導體區域包圍。

9.一種半導體裝置，具備：

第一導電型的半導體部分；

絕緣性部件，設于所述半導體部分的上層部分，沿第一方向形成有相互分離的多個第一開口部；

第二導電型的源極區域以及漏極區域，設于各所述第一開口部內，沿與所述第一方向正交的第二方向交替地排列；以及

柵極電極，設于所述半導體部分的上方，形成有沿所述第一方向以及所述第二方向以矩陣狀排列的多個第二開口部，

從上方觀察時，在所述第二開口部內配置有所述源極區域或者所述漏極區域，

從上方觀察時配置于所述第二開口部內的所述源極區域或者所述漏極區域，與所述絕緣性部件分離。

10.如權利要求9所述的半導體裝置，其中，

從上方觀察時在內部配置有所述源極區域的所述第二開口部內，未配置有所述漏極區域，

從上方觀察時在內部配置有所述漏極區域的所述第二開口部內，未配置有所述源極區域，

在所述內部配置有源極區域的第二開口部和在所述內部配置有漏極區域的第二開口部沿所述第二方向交替地排列。