[發(fā)明專(zhuān)利]輔助和操作存儲(chǔ)器單元的方法以及存儲(chǔ)器電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910016982.6
• 申請(qǐng)日: 2019-01-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110880348B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-11-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周志賢;石維強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 円星科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G11C11/417
• 分類(lèi)號(hào): G11C11/417;G11C8/08
• 代理公司: 北京天馳君泰律師事務(wù)所 11592
• 代理人: 孟銳

本公開(kāi)提供一種在存取操作中輔助存儲(chǔ)器單元的方法、存儲(chǔ)器電路以及操作存儲(chǔ)器單元的方法。輔助存儲(chǔ)器單元的方法包括：設(shè)定供應(yīng)電壓為第一供應(yīng)電壓位準(zhǔn)，以決定將該第一供應(yīng)電壓位準(zhǔn)施加至該存儲(chǔ)器單元時(shí)該存儲(chǔ)器單元的參考概率值；施加輔助電壓至該存儲(chǔ)器單元耦接的存取線(xiàn)，并設(shè)定該供應(yīng)電壓為第二供應(yīng)電壓位準(zhǔn)，以決定該輔助電壓與將該第二供應(yīng)電壓位準(zhǔn)施加至該存儲(chǔ)器單元時(shí)該存儲(chǔ)器單元的存取失敗概率兩者間的關(guān)系；由該關(guān)系決定對(duì)應(yīng)于該參考概率值的該輔助電壓的目標(biāo)輔助電壓位準(zhǔn)；及提供在該存取操作中施加該目標(biāo)輔助電壓位準(zhǔn)至該存取線(xiàn)的輔助電路。在該存取操作中，該第二供應(yīng)電壓位準(zhǔn)施加于該存儲(chǔ)器單元。該方法使存儲(chǔ)器具備良好功率效能。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及存儲(chǔ)器存取，尤其涉及一種在存取操作中輔助存儲(chǔ)器單元的方法、具有能夠提供目標(biāo)輔助電壓的輔助電路的存儲(chǔ)器件，以及操作存儲(chǔ)器單元的方法。

背景技術(shù)

靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(static random access memory，SRAM)裝置已在多種應(yīng)用領(lǐng)域中日漸普及，譬如通信、圖像處理與其他系統(tǒng)級(jí)芯片(system-on-chip，SOC)應(yīng)用，此類(lèi)應(yīng)用需要高速操作以及低功率消耗。雖然降低供應(yīng)電壓會(huì)減少動(dòng)態(tài)功率消耗，卻導(dǎo)致SRAM單元變得不穩(wěn)定。舉例來(lái)說(shuō)，低供應(yīng)電壓會(huì)減低靜態(tài)噪聲容限(static noise margin，SNM)，這是評(píng)估SRAM單元穩(wěn)定性最常用的參數(shù)。當(dāng)外部噪聲大于靜態(tài)噪聲容限時(shí)，SRAM單元的狀態(tài)會(huì)改變，且儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)會(huì)遺失。此外，極度微縮(deeply scaled)的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(complementary metal-oxide-semiconductor，CMOS)技術(shù)的制程變異會(huì)進(jìn)一步SRAM單元穩(wěn)定性。

發(fā)明內(nèi)容

此處所述的實(shí)施方式提供了一種在存取操作中輔助存儲(chǔ)器單元的方法、包含具有預(yù)定輔助強(qiáng)度的輔助電路的存儲(chǔ)器件，以及操作存儲(chǔ)器單元的方法。

此處披露的某些實(shí)施方式包括一種在一存取操作中輔助一存儲(chǔ)器單元的方法。該存取操作是因應(yīng)供應(yīng)至該存儲(chǔ)器單元的一供應(yīng)電壓而啟動(dòng)。該方法包含以下步驟：設(shè)定該供應(yīng)電壓為一第一供應(yīng)電壓位準(zhǔn)，以決定一參考概率值，該參考概率值代表該存儲(chǔ)器單元的一存取失敗概率于該第一供應(yīng)電壓位準(zhǔn)施加至該存儲(chǔ)器單元時(shí)具有的概率值；施加一輔助電壓至該存儲(chǔ)器單元所耦接的一存取線(xiàn)，并設(shè)定該供應(yīng)電壓為一第二供應(yīng)電壓位準(zhǔn)，以決定該輔助電壓的電壓位準(zhǔn)與該存儲(chǔ)器單元的該存取失敗概率于第二供應(yīng)電壓位準(zhǔn)施加至該存儲(chǔ)器單元時(shí)具有的概率值兩者之間的一對(duì)應(yīng)關(guān)系，該第二供應(yīng)電壓位準(zhǔn)不同于該第一供應(yīng)電壓位準(zhǔn)；由該對(duì)應(yīng)關(guān)系來(lái)一目標(biāo)輔助電壓位準(zhǔn)，其中該目標(biāo)輔助電壓位準(zhǔn)是該存儲(chǔ)器單元的該存取失敗概率于該第一供應(yīng)電壓位準(zhǔn)施加至該存儲(chǔ)器單元時(shí)具有的概率值所對(duì)應(yīng)的該輔助電壓的電壓位準(zhǔn)；以及提供一輔助電路，其用以在該存取操作中將該輔助電壓的電壓位準(zhǔn)設(shè)為該目標(biāo)輔助電壓位準(zhǔn)并將該輔助電壓施加至該存取線(xiàn)，其中在該存取操作中，該第二供應(yīng)電壓位準(zhǔn)是施加于該存儲(chǔ)器單元。

此處披露的某些實(shí)施方式包括一種存儲(chǔ)器電路。所述存儲(chǔ)器電路包括一存取線(xiàn)、一存儲(chǔ)器單元、一控制電路及一輔助電路。該存儲(chǔ)器單元耦接于該存取線(xiàn)，其中當(dāng)一供應(yīng)電壓設(shè)為一第一供應(yīng)電壓位準(zhǔn)并施加于該存儲(chǔ)器單元時(shí)，該存儲(chǔ)器單元的一存取失敗概率的概率值等于一參考概率值。該控制電路耦接于該存儲(chǔ)器單元，該控制電路用以提供該供應(yīng)電壓至該存儲(chǔ)器單元，以啟動(dòng)一存取操作，其中在該存取操作中，該供應(yīng)電壓設(shè)為一第二供應(yīng)電壓位準(zhǔn)、該控制電路用以將該第二供應(yīng)電壓位準(zhǔn)施加至該存儲(chǔ)器單元，且該第二供應(yīng)電壓位準(zhǔn)不同于該第一供應(yīng)電壓位準(zhǔn)。該輔助電路耦接于該存取線(xiàn)，其中在該存取操作中，該輔助電路用以將一輔助電壓的電壓位準(zhǔn)的設(shè)為一目標(biāo)輔助電壓位準(zhǔn)，并將該輔助電壓施加至該存取線(xiàn)，使得將該第二供應(yīng)電壓位準(zhǔn)施加至該存儲(chǔ)器單元時(shí)該存儲(chǔ)器單元的該存取失敗概率的概率值等于該參考概率值。