[發明專利]掩膜版、基于掩膜版的拼接曝光方法有效
| 申請號: | 201910016944.0 | 申請日: | 2019-01-08 |
| 公開(公告)號: | CN109541883B | 公開(公告)日: | 2022-06-14 |
| 發明(設計)人: | 李彥辰;李月;李娜;王海龍;李金鈺 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/38 | 分類號: | G03F1/38;G03F7/22 |
| 代理公司: | 北京市立方律師事務所 11330 | 代理人: | 張筱寧;宋海斌 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 掩膜版 基于 拼接 曝光 方法 | ||
1.一種基于掩膜版的拼接曝光方法,其特征在于,所述掩膜版包括透明基板;所述透明基板上設置有主遮光部和兩個側遮光部;一個所述側遮光部、所述主遮光部和另一個所述側遮光部沿第一方向依次連接,所述第一方向平行于陣列基板上各單元區連續排布的方向;
每個所述側遮光部內設置有透光區;所述透光區沿第二方向延伸,且所述第一方向與所述第二方向垂直,所述透光區在第二方向上的尺寸大于所述主遮光部在第二方向上的尺寸,包括:
對于所述陣列基板上多個連續排布的單元區中相鄰兩個單元區,針對所述相鄰兩個單元區中的一個單元區,將所述掩膜版的兩個所述側遮光部分別對齊所述一個單元區兩側的圖形交疊區,且使得所述主遮光部正對所述一個單元區;
利用遮光板,對正對遠離所述相鄰兩個單元區中另一個單元區的所述側遮光部的所述透光區、以及正對所述另一個單元區的所述側遮光部中透光區之外的區域,進行遮擋后,進行一次曝光;
所述一次曝光后,將所述掩膜版的兩個所述側遮光部分別對齊所述另一個單元區兩側的圖形交疊區,且使得所述主遮光部正對所述另一個單元區;利用所述遮光板對兩個所述側遮光部中的所述透光區進行遮擋后,再進行一次曝光。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,每個所述側遮光部包括內側遮光帶和外側遮光帶;
所述內側遮光帶與所述外側遮光帶沿所述第一方向間隔排布;所述內側遮光帶與所述主遮光部連接;
所述透光區包括所述內側遮光帶與所述外側遮光帶之間的間隔縫隙。
3.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,所述間隔縫隙在所述第一方向上具有預設的第一寬度;所述第一寬度的數量級包括微米級和十微米級中的一種。
4.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,所述內側遮光帶和所述外側遮光帶都在所述第一方向上具有預設的第二寬度;所述第二寬度的數量級包括毫米級和十毫米級中的一種。
5.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,所述主遮光部沿所述第一方向延伸;所述主遮光部的兩端,分別與所述兩個側遮光部的所述內側遮光帶連接。
6.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述利用遮光板,對正對遠離所述相鄰兩個單元區中另一個單元區的所述側遮光部的所述透光區、以及正對所述另一個單元區的所述側遮光部中透光區之外的區域進行遮擋包括:對于正對遠離所述相鄰兩個單元區中另一個單元區的所述側遮光部,利用所述遮光板,對該遮光部的內側遮光帶的中心線之外且包括所述透光區的區域進行遮擋;對于正對所述另一個單元區的所述側遮光部,利用所述遮光板,對該遮光部的外側遮光帶的中心線以外的區域進行遮擋;
以及,所述利用所述遮光板對兩個所述側遮光部中的所述透光區進行遮擋,包括:利用所述遮光板對兩個所述側遮光部的內側遮光帶的中心線以外且包括透光區的區域進行遮擋。
7.一種基于掩膜版的拼接曝光方法,其特征在于,所述掩膜版包括透明基板;所述透明基板上設置有主遮光部和兩個側遮光部;一個所述側遮光部、所述主遮光部和另一個所述側遮光部沿第一方向依次連接,所述第一方向平行于陣列基板上各單元區連續排布的方向;
每個所述側遮光部內設置有透光區;所述透光區沿第二方向延伸,且所述第一方向與所述第二方向垂直,所述透光區在第二方向上的尺寸大于所述主遮光部在第二方向上的尺寸,包括:
對于所述陣列基板上多個連續排布的單元區中相鄰兩個單元區,針對所述相鄰兩個單元區中的一個單元區,將所述掩膜版的兩個所述側遮光部分別對齊所述一個單元區兩側的圖形交疊區,且使得所述主遮光部正對所述一個單元區;
利用遮光板對兩個所述側遮光部中的所述透光區進行遮擋后,進行一次曝光;
所述一次曝光后,將所述掩膜版的兩個所述側遮光部分別對齊相鄰兩個單元區中的另一個單元區兩側的圖形交疊區,且使得所述主遮光部正對所述另一個單元區;
利用所述遮光板,對正對遠離所述一個單元區的所述側遮光部的所述透光區、以及正對所述一個單元區的所述側遮光部中透光區之外的區域進行遮擋后,再進行一次曝光。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





