[發(fā)明專(zhuān)利]拍攝元件及拍攝單元在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910015113.1 | 申請(qǐng)日: | 2013-11-20 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109742098A | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-05-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 村田寬信 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 株式會(huì)社尼康 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/146 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/146;H04N5/225;H04N5/232;H04N5/369;H04N5/3745 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 陳偉;劉偉志 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 拍攝元件 面?zhèn)?/a> 導(dǎo)電型半導(dǎo)體 光電轉(zhuǎn)換部 拍攝單元 相反側(cè) 供光 入射 | ||
一種拍攝元件,具有供光入射的第1面和與所述第1面為相反側(cè)的第2面,并具有光電轉(zhuǎn)換部,其包含與所述第1面?zhèn)鹊碾s質(zhì)濃度相比而所述第2面?zhèn)鹊碾s質(zhì)濃度高的相同導(dǎo)電型半導(dǎo)體。
本發(fā)明申請(qǐng)是國(guó)際申請(qǐng)日為2013年11月20日、國(guó)際申請(qǐng)?zhí)枮镻CT/JP2013/006816、進(jìn)入中國(guó)國(guó)家階段的國(guó)家申請(qǐng)?zhí)枮?01380070738.9、發(fā)明名稱(chēng)為“拍攝元件及拍攝單元”的發(fā)明專(zhuān)利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及拍攝元件及拍攝單元。
背景技術(shù)
已知一種為了通過(guò)CMOS(互補(bǔ)性金屬氧化膜半導(dǎo)體)圖像傳感器實(shí)現(xiàn)全局快門(mén)(global shutter),而在像素中設(shè)有蓄積部的拍攝裝置(例如參照非專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
非專(zhuān)利文獻(xiàn)
非專(zhuān)利文獻(xiàn)1:安富啟太、伊藤真也、川人祥二,“具有雙快門(mén)功能的2級(jí)電荷傳輸型低噪聲電子快門(mén)”,社團(tuán)法人影像信息媒體學(xué)會(huì)技術(shù)報(bào)告,Vol.34,No.16,P.25~28
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題
在現(xiàn)有技術(shù)中,在光電轉(zhuǎn)換部中可能產(chǎn)生電荷的傳輸剩余這方面有改善的余地。
用于解決課題的手段
作為本發(fā)明的一個(gè)例子的拍攝元件,具有供光入射的第1面和與上述第1面為相反側(cè)的第2面,并具有包含與上述第1面?zhèn)鹊碾s質(zhì)濃度相比而上述第2面?zhèn)鹊碾s質(zhì)濃度高的相同導(dǎo)電型半導(dǎo)體的光電轉(zhuǎn)換部。
附圖說(shuō)明
圖1是表示數(shù)碼相機(jī)的構(gòu)成例的圖。
圖2是表示第1構(gòu)成例的拍攝元件中的像素配置的圖。
圖3是基于光瞳分割型相位差方式的焦點(diǎn)檢測(cè)方法的說(shuō)明圖。
圖4的(a)~(e)是圖像信號(hào)生成處理的說(shuō)明圖。
圖5是像素PX的一個(gè)例子的電路圖。
圖6是第1構(gòu)成例中的像素排列的放大俯視圖。
圖7是像素PX的一個(gè)例子的放大俯視圖。
圖8是第1構(gòu)成例中的像素PX的剖視圖。
圖9是第2構(gòu)成例中的像素PX的剖視圖。
圖10是表示第2構(gòu)成例中的受光面?zhèn)鹊南袼嘏帕械睦拥膱D。
圖11是表示第2構(gòu)成例中的受光面的背面?zhèn)鹊南袼嘏帕械睦拥膱D。
圖12是表示關(guān)于RGB的各波長(zhǎng)的、基于硅基板的光吸收率與硅基板的厚度之間的關(guān)系例的曲線圖。
圖13是表示從第3構(gòu)成例中的受光面的背面?zhèn)扔^察到的像素PX的圖。
圖14的(a)~(b)是表示拍攝元件的層疊構(gòu)造的例子的圖。
圖15是表示作為第2構(gòu)成例的變形例的像素配置的其他例的圖。
具體實(shí)施方式
以下,參照附圖說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。另外,只要無(wú)特別解釋?zhuān)瑒t在以下的說(shuō)明及附圖中,將X方向定義為水平方向、將Y方向定義為垂直方向、將Z方向定義為前后方向。
<拍攝單元的構(gòu)成例>
圖1是表示作為拍攝單元的一個(gè)例子的數(shù)碼相機(jī)的構(gòu)成例的圖。數(shù)碼相機(jī)1具有可換鏡頭2和相機(jī)機(jī)身3。可換鏡頭2經(jīng)由安裝部4安裝于相機(jī)機(jī)身3。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





