[發(fā)明專利]半導(dǎo)體激光器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910015103.8 | 申請日： | 2019-01-08 |
| 公開（公告）號： | CN109638640B | 公開（公告）日： | 2020-08-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 林宏翔;劉佟;崔晗;蔡昭權(quán);魏曉慧 | 申請（專利權(quán)）人： | 惠州學(xué)院 |
| 主分類號： | H01S5/042 | 分類號： | H01S5/042;H01S5/062;H01S5/125 |
| 代理公司： | 廣東創(chuàng)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44690 | 代理人： | 韓淑英 |
| 地址： | 516001 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體激光器 | ||
1.一種半導(dǎo)體激光器，定義一XYZ空間直角坐標(biāo)系，其特征在于，包括：
位于Z軸方向前方和后方的電極；
位于電極之間的有源區(qū)，其用于在電極通電時產(chǎn)生激光，所述有源區(qū)的主延伸平面平行于XY軸定義的平面；
位于有源層的Z軸方向前方和后方以及位于有源區(qū)周側(cè)的波導(dǎo)層；以及
位于波導(dǎo)層的Y軸方向前方和后方的反射層，所述半導(dǎo)體激光器的激光射出口形成在位于Y軸方向前方的反射層上；
其中，所述有源區(qū)的Y軸方向的前方和后方中的至少一個方向上還形成有用于將偏振方向平行于X軸方向的激光篩選出來的布儒斯特窗；
所述布儒斯特窗是通過在半導(dǎo)體材料上進(jìn)行刻蝕形成的，定義布儒斯特角為θ，則所述布儒斯特窗相對Y軸的傾斜角度為θ或π-θ，且布儒斯特角θ與真空折射率n2和半導(dǎo)體材料折射率n1的關(guān)系為。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，定義布儒斯特窗中的真空在Y軸方向的等效寬度為D’、激光諧振腔內(nèi)介質(zhì)在Y軸方向的等效寬度為L’，激光波長為λ，則，m為正整數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述布儒斯特窗中單層真空區(qū)域的寬度為50um-100um。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述有源區(qū)和形成所述布儒斯特窗的半導(dǎo)體材料包括InGaAsP半導(dǎo)體材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述有源區(qū)的Y軸方向的前方和后方均形成有用于將偏振方向平行于X軸方向的激光篩選出來的布儒斯特窗。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，為分布式布拉格反射激光器，所述布儒斯特窗位于有源區(qū)和分布式布拉格反射區(qū)之間，且在Z軸方向上位于絕緣層和襯底層之間，在Z軸方向上的寬度為50um-100um。
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