[發(fā)明專利]顯示裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910014381.1
• 申請日: 2019-01-08
• 公開（公告）號(hào): CN110021620A
• 公開（公告）日: 2019-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金恩珠
• 申請（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/15
• 分類號(hào): H01L27/15;H01L33/50;H01L33/44
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11204
• 代理人: 王達(dá)佐;劉錚

本發(fā)明涉及一種顯示裝置，該顯示裝置包括薄膜晶體管基底、發(fā)光元件、像素電極、公共電極、顏色轉(zhuǎn)換層和封裝層，其中，薄膜晶體管基底具有薄膜晶體管；發(fā)光元件包括處于薄膜晶體管基底上的超小LED元件；像素電極連接至薄膜晶體管的一端和發(fā)光元件的一端；公共電極處于薄膜晶體管基底上并連接至發(fā)光元件的另一端；顏色轉(zhuǎn)換層處于發(fā)光元件上，并包括多個(gè)量子點(diǎn)材料；封裝層處于顏色轉(zhuǎn)換層上。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求于2018年1月8日在韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2018-0002353號(hào)韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)及權(quán)益，該韓國專利申請通過引用以其整體并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施方式的方面涉及顯示裝置。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管(LED)即使在惡劣的環(huán)境條件中也表現(xiàn)出相對良好的耐久性，并在壽命和亮度方面具有優(yōu)異的性能。最近，已經(jīng)積極地開展了將這種LED應(yīng)用于各種顯示裝置的研究。

作為這些研究的一部分，已經(jīng)開發(fā)了通過使用無機(jī)晶體結(jié)構(gòu)(例如，在其中生長有基于氮化物的半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu))來制造微米級(jí)或納米級(jí)超緊湊發(fā)光二極管的技術(shù)。例如，LED可制造成足以構(gòu)成自發(fā)光顯示裝置的像素等的小尺寸。

在該背景技術(shù)部分中公開的以上信息僅用于增強(qiáng)對本發(fā)明的背景的理解，并因而該部分可包含不構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實(shí)施方式的方面涉及具有改善的顏色再現(xiàn)性和顏色視角的顯示裝置。

根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式，提供了顯示裝置，該顯示裝置包括薄膜晶體管基底、發(fā)光元件、像素電極、公共電極、顏色轉(zhuǎn)換層和封裝層，其中，薄膜晶體管基底具有薄膜晶體管；發(fā)光元件包括處于薄膜晶體管基底上的超小LED元件；像素電極連接至薄膜晶體管的一端和發(fā)光元件的一端；公共電極處于薄膜晶體管基底上，并連接至發(fā)光元件的另一端；顏色轉(zhuǎn)換層處于發(fā)光元件上，并包括多個(gè)量子點(diǎn)材料；封裝層處于顏色轉(zhuǎn)換層上。

在一些實(shí)施方式中，像素電極和公共電極處于薄膜晶體管基底與發(fā)光元件之間，并處于不同層處。

在一些實(shí)施方式中，顯示裝置還包括與薄膜晶體管重疊的第一鈍化膜和處于第一鈍化膜上的第二鈍化膜，其中，公共電極處于第一鈍化膜上，并且像素電極處于第二鈍化膜上。

在一些實(shí)施方式中，像素電極和公共電極處于發(fā)光元件下方并處于相同層處。

在一些實(shí)施方式中，顯示裝置還包括與薄膜晶體管重疊的鈍化膜，其中，像素電極和公共電極處于鈍化膜上。

在一些實(shí)施方式中，像素電極處于薄膜晶體管基底與發(fā)光元件之間，并且公共電極處于發(fā)光元件上。

在一些實(shí)施方式中，顯示裝置還包括處于薄膜晶體管基底上的像素限定層和處于像素限定層上的光阻擋層。

在一些實(shí)施方式中，顯示裝置還包括處于薄膜晶體管基底上的像素限定層，其中，像素限定層包括光阻擋材料。

在一些實(shí)施方式中，顯示裝置還包括藍(lán)光阻擋層，其中，藍(lán)光阻擋層處于顏色轉(zhuǎn)換層上。

在一些實(shí)施方式中，顯示裝置還包括藍(lán)光阻擋層，其中，藍(lán)光阻擋層處于發(fā)光元件與顏色轉(zhuǎn)換層之間。

在一些實(shí)施方式中，發(fā)光元件配置成發(fā)射藍(lán)光。