[發明專利]一種基于鈣鈦礦薄膜的可見光條紋相機光陰極制備方法有效
| 申請號: | 201910014051.2 | 申請日: | 2019-01-08 |
| 公開(公告)號: | CN109742239B | 公開(公告)日: | 2022-04-05 |
| 發明(設計)人: | 黎宇坤;李晉;陳韜;鄧克立;楊品;楊志文;胡昕;王強強;袁錚;曹柱榮 | 申請(專利權)人: | 中國工程物理研究院激光聚變研究中心 |
| 主分類號: | H01L51/42 | 分類號: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48;G03B39/00 |
| 代理公司: | 中國工程物理研究院專利中心 51210 | 代理人: | 翟長明;韓志英 |
| 地址: | 621999 四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 鈣鈦礦 薄膜 可見光 條紋 相機 陰極 制備 方法 | ||
1.一種基于鈣鈦礦薄膜的可見光條紋相機光陰極制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
a.提供一塊帶成像狹縫(4)的光陰極支架(1);
b.提供一塊能夠自支撐的透明導電襯底(2),粘貼在步驟a的光陰極支架(1)的成像狹縫(4)上,透明導電襯底(2)與光陰極支架(1)形成歐姆接觸;
c.在步驟b的透明導電襯底(2)的表面上,旋涂BX2溶液(5),然后加熱去除溶劑,得到BX2薄膜;BX2溶液(5)中的溶質為BX2,其中B為Pb2+或Sn2+,X為鹵族元素陰離子中的I-或Br-,BX2溶液(5)中的溶劑為N,N-二甲基甲酰胺DMF、γ-丁內酯GBL或二甲基亞砜DMSO中的一種或多種的組合;
d.在步驟c獲得的BX2薄膜上,旋涂AX溶液(6),然后整體進行退火處理,獲得所需的鈣鈦礦ABX3薄膜(3);AX溶液(6)的溶質為AX,其中的A為CH3NH3+或Cs+,AX溶液(6)中的溶劑為N,N-二甲基甲酰胺DMF、γ-丁內酯GBL或二甲基亞砜DMSO中的一種或多種的組合。
2.根據權利要求1所述的基于鈣鈦礦薄膜的可見光條紋相機光陰極制備方法,其特征在于:所述的步驟a中,光陰極支架(1)的材料為無磁不銹鋼;成像狹縫(4)的長度范圍為10mm~100mm,寬度范圍為0.05mm~2mm。
3.根據權利要求1所述的基于鈣鈦礦薄膜的可見光條紋相機光陰極制備方法,其特征在于:所述的步驟b中,透明導電襯底(2)的材料為導電玻璃ITO或有機導電薄膜PEDOT:PSS中的一種或兩種的組合;透明導電襯底(2)的厚度范圍為0.1μm~1000μm。
4.根據權利要求1所述的基于鈣鈦礦薄膜的可見光條紋相機光陰極制備方法,其特征在于:所述的步驟b中,透明導電襯底(2)的大小能完全覆蓋光陰極支架(1)的成像狹縫(4)。
5.根據權利要求1所述的基于鈣鈦礦薄膜的可見光條紋相機光陰極制備方法,其特征在于:所述的步驟d中,鈣鈦礦ABX3薄膜(3)的厚度范圍為100nm~1000nm。
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