[發明專利]基于介電電泳的陣列化液晶傳感器

有效

• 申請號: 201910013287.4
• 申請日: 2019-01-07
• 公開（公告）號: CN109738505B
• 公開（公告）日: 2020-07-28
• 發明（設計）人: 鄧吉楠;楊軍;胡寧;韓縣偉;陳夢迪
• 申請（專利權）人: 重慶大學
• 主分類號: G01N27/447
• 分類號: G01N27/447
• 代理公司: 重慶航圖知識產權代理事務所(普通合伙) 50247
• 代理人: 胡小龍

1.一種基于介電電泳的陣列化液晶傳感器，其特征在于：包括上側壁和下側壁，所述上側壁的底面和下側壁的頂面平行，所述上側壁和下側壁的四周密閉并形成用于容納液晶液滴的腔室（1），且所述上側壁和下側壁上對應設有陣列電極；

所述上側壁包括上電極層（2），所述上電極層（2）的底面設有上絕緣層（6），所述上絕緣層（6）上陣列設有上通孔（7）；所述下側壁包括下電極層（3），所述下電極層（3）的頂面上設有下絕緣層（4），所述下絕緣層（4）上陣列設有下通孔（5）；所述上通孔（7）與所述下通孔（5）一一對應設置，且所述上電極層（2）位于所述上通孔（7）內的區域與所述下電極層（3）位于所述下通孔（5）內的區域之間形成陣列電極；或，

所述上側壁包括絕緣的上基板（10），所述上基板（10）的底面上陣列安裝設有上電極（11），所有的所述上電極（11）之間電連接；所述下側壁包括絕緣的下基板（8），所述下基板（8）的頂面上陣列安裝設有下電極（9），所有的所述下電極（9）之間電連接；所述上電極（11）與所述下電極（9）一一對應設置，并在所述上電極（11）與所述下電極（9）之間形成所述陣列電極。

2.根據權利要求1所述基于介電電泳的陣列化液晶傳感器，其特征在于：所述上絕緣層（6）和下絕緣層（4）采用光刻膠光刻加工制成。

3.根據權利要求1或2所述基于介電電泳的陣列化液晶傳感器，其特征在于：所述上電極層（2）的頂面設有上基底（12），所述下電極層（3）的底面設有下基底（13）。

4.根據權利要求1或2所述基于介電電泳的陣列化液晶傳感器，其特征在于：所述上電極層（2）和下電極層（3）采用ITO制成。

5.根據權利要求1所述基于介電電泳的陣列化液晶傳感器，其特征在于：所述上側壁和下側壁的四周設有墊片（14）。

6.根據權利要求5所述基于介電電泳的陣列化液晶傳感器，其特征在于：所述墊片（14）采用超薄雙面膠制成。

7.根據權利要求1所述基于介電電泳的陣列化液晶傳感器，其特征在于：所述上側壁或下側壁上設有與所述腔室（1）連通的進樣通道（15）和出樣通道（16）。

8.根據權利要求1-2、5-7任一項所述基于介電電泳的陣列化液晶傳感器，其特征在于：所述上側壁的底面和下側壁的頂面之間的間距等于液晶液滴直徑的2-3倍。