[發(fā)明專利]集成填料電容器單元器件以及對(duì)應(yīng)的制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910011777.0 | 申請(qǐng)日： | 2019-01-07 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN110021594A | 公開（公告）日： | 2019-07-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | A·馬扎基;A·雷尼耶;S·尼埃爾 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 意法半導(dǎo)體(魯塞)公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L27/06 | 分類號(hào)： | H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人： | 王茂華;郭星 |
| 地址： | 法國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 法國(guó);FR |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 填充 隔離區(qū)域 電容器 半導(dǎo)體區(qū)域 單元器件 導(dǎo)電中心 覆蓋區(qū)域 金屬硅化物層 溝槽接觸 介電層 閉件 覆蓋 界定 絕緣 制造 隔離 延伸 | ||
1.一種集成電路，包括：
第一半導(dǎo)體區(qū)域；
隔離區(qū)域，所述隔離區(qū)域界定出所述第一半導(dǎo)體區(qū)域的工作區(qū)；
至少一個(gè)溝槽，位于所述工作區(qū)中、并且延伸到所述隔離區(qū)域中，所述溝槽由被包圍在隔離圍閉件中的導(dǎo)電中心部填充；
覆蓋區(qū)域，所述覆蓋區(qū)域至少覆蓋所述已填充溝槽的第一部分，所述已填充溝槽的所述第一部分位于所述工作區(qū)中，所述覆蓋區(qū)域包括與所述已填充溝槽接觸的至少一個(gè)介電層；
金屬硅化物層，所述金屬硅化物層至少位于所述已填充溝槽的第二部分的所述中心部上，所述已填充溝槽的所述第二部分未被所述覆蓋區(qū)域覆蓋；
所述第一半導(dǎo)體區(qū)域中的第一觸點(diǎn)，所述第一觸點(diǎn)形成填料電容器單元器件的第一電極；
所述溝槽的所述第二部分的所述中心部的所述金屬硅化物層上的第二觸點(diǎn)，所述第二觸點(diǎn)形成所述填料電容器單元器件的第二電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述第一半導(dǎo)體區(qū)域是在半導(dǎo)體襯底內(nèi)的半導(dǎo)體阱，以及其中所述填料電容器單元器件進(jìn)一步包括被電連接至所述第二觸點(diǎn)的襯底觸點(diǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述覆蓋區(qū)域包括通過(guò)所述介電層與所述已填充溝槽絕緣的導(dǎo)電層，其中所述導(dǎo)電層被電連接至所述第二觸點(diǎn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述覆蓋區(qū)域的所述介電層包括晶體管柵極氧化物層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述覆蓋區(qū)域的所述介電層包括氧化硅-氮化物-氧化硅層的堆疊。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述至少一個(gè)溝槽包括被布置為在所述工作區(qū)中彼此平行延伸的多個(gè)溝槽。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述覆蓋區(qū)域具有板的形狀，所述覆蓋區(qū)域覆蓋所述工作區(qū)的整個(gè)上表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述覆蓋區(qū)域具有條帶的形狀，所述覆蓋區(qū)域覆蓋每個(gè)已填充溝槽，而不覆蓋條帶之間的所述工作區(qū)的部分。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的集成電路，進(jìn)一步包括：金屬硅化物層，所述金屬硅化物層位于所述條帶之間的所述工作區(qū)的表面上。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述第一半導(dǎo)體區(qū)域位于包括邏輯門的電路域內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的集成電路，其中所述電路域包括多個(gè)半導(dǎo)體阱，每個(gè)半導(dǎo)體阱包括所述第一半導(dǎo)體區(qū)域，以便提供位于邏輯門之間的對(duì)應(yīng)的多個(gè)填料電容器單元器件。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的集成電路，其中所述邏輯門是電子設(shè)備的邏輯電路的部分，所述電子設(shè)備從由移動(dòng)電話或者計(jì)算機(jī)組成的組選擇。
13.一種方法，包括：
形成界定出第一半導(dǎo)體區(qū)域的工作區(qū)的隔離區(qū)域；
在所述工作區(qū)中蝕刻至少一個(gè)溝槽，所述至少一個(gè)溝槽延伸到所述隔離區(qū)域中；
利用通過(guò)隔離圍閉件與所述至少一個(gè)溝槽的底部和側(cè)面絕緣的導(dǎo)電中心部來(lái)填充所述至少一個(gè)溝槽；
形成至少覆蓋所述已填充溝槽的第一部分的覆蓋區(qū)域，所述第一部分位于所述工作區(qū)中，所述覆蓋區(qū)域包括與所述已填充溝槽接觸的至少一個(gè)介電層；至少硅化所述溝槽的未被所述覆蓋區(qū)域覆蓋的第二部分的所述導(dǎo)電中心部；形成與所述第一半導(dǎo)體區(qū)域的第一電觸點(diǎn)，以便形成填料電容器單元器件的第一電極；以及
形成與所硅化的導(dǎo)電中心部的第二電觸點(diǎn)，以便形成所述填料電容器單元器件的第二電極。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述第一半導(dǎo)體區(qū)域包括半導(dǎo)體襯底中的半導(dǎo)體阱，所述方法進(jìn)一步包括：將襯底電觸點(diǎn)電連接至所述第二電觸點(diǎn)。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
