[發明專利]SrHgSnSe4非線性光學晶體、其制備及應用

在審

• 申請號: 201910011546.X
• 申請日: 2019-01-07
• 公開（公告）號: CN109518267A
• 公開（公告）日: 2019-03-26
• 發明（設計）人: 姚吉勇;郭揚武;李壯;邢文豪
• 申請（專利權）人: 中國科學院理化技術研究所
• 主分類號: C30B11/00
• 分類號: C30B11/00;C30B29/48;G02F1/355
• 代理公司: 北京正理專利代理有限公司 11257
• 代理人: 趙曉丹

1.一種非線性光學晶體，其特征在于，其化學式為SrHgSnSe₄，屬正交晶系，空間群為Fdd2，其晶胞參數為：α＝β＝γ＝90°,Z＝32。

2.如權利要求1所述的非線性光學晶體的制備方法，其特征在于，采用高溫熔體自發結晶法制備，將具有組成等同于SrHgSnSe₄的混合物或粉末狀SrHgSnSe₄化合物加熱至熔化完全，將得到的高溫溶液保溫后再降溫至室溫得到。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述保溫的時間為24-96小時；所述降溫的速率為1-10℃/小時。

4.如權利要求1所述的非線性光學晶體的制備方法，其特征在于，采用坩堝下降法制備，將具有組成等同于SrHgSnSe₄的混合物或粉末狀SrHgSnSe₄化合物置于晶體生長裝置中，加熱至熔化完全，將晶體生長裝置垂直下降，垂直下降過程中結晶得到。

5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述垂直下降的速率為0.1-10mm/h，時間為5-20天。

6.根據權利要求2或4所述的制備方法，其特征在于，所述具有組成等同于SrHgSnSe₄的混合物為將含有Sr元素、Hg元素、Sn元素和Se元素的原料混合得到，其中，Sr元素、Hg元素、Sn元素和Se元素的摩爾比為1:1:1:4；

優選地，所述原料中，Sr元素來自Sr或SrSe；Hg元素來自Hg或HgSe；Sn元素來自Sn、SnSe或SnSe₂；Se元素來自單質Se、SrSe、HgSe、SnSe或SnSe₂。

7.根據權利要求2或4所述的制備方法，其特征在于，所述粉末狀SrHgSnSe₄化合物的制備包括：將含有Sr元素、Hg元素、Sn元素和Se元素的原料按照Sr元素、Hg元素、Sn元素和Se元素的摩爾比為1:1:1:4的比例混合均勻，加熱至650-1200℃進行固相反應，經研磨，得粉末狀SrHgSnSe₄化合物；

優選地，所述原料中，Sr元素來自Sr或SrSe；Hg元素來自Hg或HgSe；Sn元素來自Sn、SnSe或SnSe₂；Se元素來自單質Se、SrSe、HgSe、SnSe或SnSe₂。

8.如權利要求1所述的非線性光學晶體在制備非線性光學器件中的應用。

9.根據權利要求8所述的應用，其特征在于，所述非線性光學器件包含將至少一束入射電磁輻射通過至少一塊所述的非線性光學晶體后產生至少一束頻率不同于所述入射電磁輻射的輸出輻射的裝置。