[發(fā)明專(zhuān)利]光配向掩膜版修復(fù)方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910010959.6 | 申請(qǐng)日: | 2019-01-07 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109471328A | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-03-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 戴明鑫;李林;劉聰聰;陳林;楊俊 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 成都中電熊貓顯示科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G03F1/72 | 分類(lèi)號(hào): | G03F1/72 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 李小波;劉芳 |
| 地址: | 610200 四川省成*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 掩膜版 修復(fù) 配向 半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域 損傷位置 溫度環(huán)境 色阻 預(yù)設(shè) 遮光 加熱 涂抹 修補(bǔ) 清洗 損傷 | ||
1.一種光配向掩膜版修復(fù)方法,其特征在于,包括:
對(duì)待修復(fù)掩膜版的損傷位置涂抹第一遮光色阻;
在預(yù)設(shè)溫度環(huán)境中對(duì)所述待修復(fù)掩膜版進(jìn)行加熱;
對(duì)所述待修復(fù)掩膜版進(jìn)行清洗,以形成修復(fù)后掩膜版。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光配向掩膜版修復(fù)方法,其特征在于,在對(duì)所述待修復(fù)掩膜版進(jìn)行清洗之前,還包括:
對(duì)所述修復(fù)后掩膜版進(jìn)行表面高度測(cè)量,以獲取最大高度差以及平整度;
確定所述最大高度差小于預(yù)設(shè)高度差閾值,所述平整度小于預(yù)設(shè)平整度閾值。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光配向掩膜版修復(fù)方法,其特征在于,所述預(yù)設(shè)高度差閾值為5微米,所述預(yù)設(shè)平整度閾值為2%。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光配向掩膜版修復(fù)方法,其特征在于,在所述對(duì)所述待修復(fù)掩膜版進(jìn)行清洗之后,還包括:
對(duì)所述修復(fù)后掩膜版進(jìn)行透光測(cè)試,確定所述損傷位置在修補(bǔ)后無(wú)透光。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光配向掩膜版修復(fù)方法,其特征在于,在所述確定所述損傷位置修補(bǔ)后無(wú)透光之后,還包括:
利用所述修復(fù)后掩膜版對(duì)預(yù)設(shè)數(shù)量的基板進(jìn)行曝光,并統(tǒng)計(jì)良率;
當(dāng)所述良率滿足預(yù)設(shè)良率條件時(shí),將所述修復(fù)后掩膜版投入生產(chǎn)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光配向掩膜版修復(fù)方法,其特征在于,所述利用所述修復(fù)后掩膜版對(duì)預(yù)設(shè)數(shù)量的基板進(jìn)行曝光,并統(tǒng)計(jì)良率,包括:
利用所述修復(fù)后掩膜版對(duì)第一數(shù)量的基板進(jìn)行曝光,并統(tǒng)計(jì)第一良率;
利用所述修復(fù)后掩膜版對(duì)第二數(shù)量的基板進(jìn)行曝光,并統(tǒng)計(jì)第二良率;
利用所述修復(fù)后掩膜版對(duì)第三數(shù)量的基板進(jìn)行曝光,并統(tǒng)計(jì)第三良率;
其中,所述第一數(shù)量小于所述第二數(shù)量,所述第二數(shù)量小于所述第三數(shù)量。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光配向掩膜版修復(fù)方法,其特征在于,所述第一數(shù)量為5組,所述第二數(shù)量為20組,所述第三數(shù)量為100組。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任意一項(xiàng)所述的光配向掩膜版修復(fù)方法,其特征在于,所述第一遮光色阻為黑色矩陣色阻。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光配向掩膜版修復(fù)方法,其特征在于,所述預(yù)設(shè)溫度環(huán)境的溫度為100-220攝氏度。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光配向掩膜版修復(fù)方法,其特征在于,所述預(yù)設(shè)溫度環(huán)境的溫度為180攝氏度。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專(zhuān)用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專(zhuān)門(mén)適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過(guò)帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過(guò)電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過(guò)100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備
- 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)技術(shù)領(lǐng)域的雙面復(fù)制
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- 一種面向信息技術(shù)領(lǐng)域應(yīng)用的半導(dǎo)體激光器小型驅(qū)動(dòng)電路
- 乘客和車(chē)輛相互認(rèn)證技術(shù)領(lǐng)域
- 一種家校通教育管理系統(tǒng)技術(shù)領(lǐng)域
- 新半導(dǎo)體電子原理技術(shù)與器件
- 帶有合閘電阻的斷路器技術(shù)領(lǐng)域





