[發明專利]硫錫錳鍶化合物、硫錫錳鍶非線性光學晶體及制備方法和應用

有效

• 申請號: 201910008774.1
• 申請日: 2019-01-04
• 公開（公告）號: CN109652860B
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發明（設計）人: 梅大江;吳遠東;操汪柱;劉闖
• 申請（專利權）人: 上海工程技術大學
• 主分類號: G02F1/355
• 分類號: G02F1/355;C30B29/46;C30B11/00;C01G45/00
• 代理公司: 上海科盛知識產權代理有限公司 31225
• 代理人: 林君如

1.一種硫錫錳鍶非線性光學晶體，其特征在于，該晶體的化學式為Sr₃MnSn₂S₈，該晶體具有非中心對稱結構，屬于立方晶系，空間群，其晶胞參數為α＝β＝γ＝90°。

2.如權利要求1所述的硫錫錳鍶非線性光學晶體的制備方法，其特征在于，該方法以硫錫錳鍶化合物為原料，采用高溫熔體自發結晶生長法生長得到所述的硫錫錳鍶非線性光學晶體。

3.根據權利要求2所述的硫錫錳鍶非線性光學晶體的制備方法，其特征在于，該方法通過將粉末狀的硫錫錳鍶化合物真空封裝后，以45～55℃/h的升溫速率升溫到850～950℃，并在該溫度下保溫2～4天，然后以1.5～2.5℃/h的降溫速率降至室溫，得到透明晶體，即為所述的硫錫錳鍶非線性光學晶體。

4.根據權利要求3所述的硫錫錳鍶非線性光學晶體的制備方法，其特征在于，該方法通過將粉末狀的硫錫錳鍶化合物真空封裝后，以50℃/h的升溫速率升溫到900℃，并在該溫度下保溫3天，然后以2℃/h的降溫速率降至室溫，得到透明晶體，即為所述的硫錫錳鍶非線性光學晶體。

5.根據權利要求2所述的硫錫錳鍶非線性光學晶體的制備方法，其特征在于，所述的硫錫錳鍶化合物的化學式為Sr₃MnSn₂S₈。

6.如權利要求5所述的硫錫錳鍶非線性光學晶體的制備方法，其特征在于，該方法通過將含Sr物質、含Mn物質、含Sn物質和含S物質按照摩爾比Sr:Mn:Sn:S＝3:1:2:8混合均勻并真空封裝后，進行高溫固相反應，得到所述的硫錫錳鍶化合物。

7.根據權利要求6所述的硫錫錳鍶非線性光學晶體的制備方法，其特征在于，所述的高溫固相反應過程中，以40～50℃/h的升溫速率升溫到850～950℃，并在該溫度下保溫2～4天，然后以7～13℃/h的降溫速率降至室溫。

8.根據權利要求7所述的硫錫錳鍶非線性光學晶體的制備方法，其特征在于，所述的高溫固相反應過程中，以45℃/h的升溫速率升溫到900℃，并在該溫度下保溫3天，然后以10℃/h的降溫速率降至室溫。

9.根據權利要求6～8任一所述的硫錫錳鍶非線性光學晶體的制備方法，其特征在于：

所述的含Sr物質為鍶單質或硫化鍶，含Mn物質為錳單質或硫化錳，含Sn物質為錫單質或二硫化錫；

所述的含S物質為單質硫和/或含有硫元素的含Sr物質、含Mn物質和含Sn物質中的至少一種。

10.如權利要求1所述的硫錫錳鍶非線性光學晶體的應用，其特征在于，該硫錫錳鍶非線性光學晶體用于制備非線性光學器件，所述的非線性光學器件包含將至少一束入射電磁輻射通過至少一塊硫錫錳鍶非線性光學晶體后產生至少一束頻率不同于入射電磁輻射的輸出輻射的裝置。