[發(fā)明專利]一種用于制備柔性O(shè)LED的基板及柔性O(shè)LED的制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910007844.1
• 申請(qǐng)日: 2019-01-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109786551A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-05-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉海濱;譚化兵;季恒星
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無(wú)錫第六元素電子薄膜科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/00
• 分類號(hào): H01L51/00;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京世衡知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11686
• 代理人: 肖淑芳

1.一種用于制備柔性O(shè)LED的基板，其特征在于，所述基板包括：石墨烯、金屬膜和耐高溫基底，所述金屬膜設(shè)置于所述耐高溫基底表面，所述石墨烯設(shè)置于所述金屬膜表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制備柔性O(shè)LED的基板，其特征在于，所述耐高溫基底為玻璃、陶瓷或石英；

優(yōu)選地，所述金屬膜為銅膜、鎳膜或銅鎳合金膜；進(jìn)一步優(yōu)選地，所述金屬膜為銅膜；

優(yōu)選地，所述金屬膜的厚度為5-1000nm；進(jìn)一步優(yōu)選地，所述金屬膜的厚度為20-100nm；優(yōu)選30nm；

優(yōu)選地，所述石墨烯為CVD法制備的石墨烯；進(jìn)一步優(yōu)選地，所述石墨烯為單層石墨烯。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于制備柔性O(shè)LED的基板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在耐高溫基底上設(shè)置金屬膜，形成金屬膜/耐高溫基底；和

在金屬膜上生長(zhǎng)石墨烯，形成石墨烯/金屬膜/耐高溫基底，即所述基板。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于制備柔性O(shè)LED的基板的制備方法，其特征在于，所述在耐高溫基底上設(shè)置金屬膜采用濺射或蒸發(fā)的方法在耐高溫基底上形成一層或兩層以上金屬膜；優(yōu)選地，所述金屬膜為一層金屬膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于制備柔性O(shè)LED的基板的制備方法，其特征在于，所述在金屬膜上生長(zhǎng)石墨烯的方法為，將所述金屬膜/耐高溫基底用CVD法在所述金屬膜的表面生長(zhǎng)石墨烯；

優(yōu)選地，所述CVD法為熱CVD法或PECVD法；

優(yōu)選地，所述石墨烯為單層或兩層以上石墨烯。

6.一種柔性O(shè)LED的制備方法，其特征在于，采用如權(quán)利要求1所述的基板，包括：

在所述基板的石墨烯表面上涂布基材層，然后固化，形成基材層/石墨烯/金屬膜/耐高溫基底；

在基材層上制作OLED面板，形成OLED面板/基材層/石墨烯/金屬膜/耐高溫基底；和

將OLED面板/基材層與石墨烯/金屬膜/耐高溫基底剝離，得到OLED面板/基材層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的柔性O(shè)LED的制備方法，其特征在于，所述基材層為PI膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的柔性O(shè)LED的制備方法，其特征在于，所述在基材層上制作OLED面板的方法為：在基材層上制備TFT陣列，再在所述TFT陣列表面制作有機(jī)功能層，再在有機(jī)功能層表面制作電極層，再制作覆蓋層，將電極層和裸露的有機(jī)功能層全部覆蓋；

優(yōu)選地，所述在基材層上制備TFT陣列采用LTPS工藝；

優(yōu)選地，所述制作有機(jī)功能層的方式為蒸鍍；

優(yōu)選地，所述制作電極層的方式為蒸鍍；

優(yōu)選地，所述制作覆蓋層的方法為蒸鍍。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的柔性O(shè)LED的制備方法，其特征在于，所述將OLED面板/基材層與石墨烯/金屬膜/耐高溫基底剝離的方法為使用撕膜機(jī)或手工撕除的方式。