[發明專利]包括存儲器的集成電路構造及用于形成其的方法

在審

• 申請號: 201910006581.2
• 申請日: 2019-01-04
• 公開（公告）號: CN110299325A
• 公開（公告）日: 2019-10-01
• 發明（設計）人: 祐川光成
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L27/108;H01L23/64
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種用于形成包括存儲器的集成電路的方法，所述方法包括：

在襯底上形成犧牲材料且在所述犧牲材料中提供橫向延伸絕緣體結構，所述絕緣體結構在垂直橫截面中與所述犧牲材料的頂部及底部垂直間隔開；

從所述犧牲材料及所述絕緣體結構在所述垂直橫截面中的兩個橫向外部分之間橫向去除至少一些所述犧牲材料及所述絕緣體結構以在所述垂直橫截面中包括所述犧牲材料及所述絕緣體結構的兩個橫向外區域之間橫向形成橫向中間區域；

在所述橫向中間區域中形成一對豎向延伸壁，所述對壁在所述垂直橫截面中個別地抵靠所述兩個橫向外區域中的不同者中的所述犧牲材料的橫向側，所述犧牲材料包括一種組分且所述對壁包含與所述種組分不同的另一組分，所述另一組分是絕緣的；

在形成所述壁之后，在所述兩個橫向外區域中的每一者中形成到所述犧牲材料中且穿過所述絕緣體結構的豎向延伸開口，且在所述兩個橫向外區域中的每一者中的所述開口中形成電容器存儲節點電極；及

在形成所述電容器存儲節點電極之后，從所述兩個橫向外區域中的每一者去除至少一些所述犧牲材料且接著在所述兩個橫向外區域中的每一者中的所述電容器存儲節點電極上形成電容器絕緣體及共享電容器電極以在所述兩個橫向外區域中的每一者中形成多個電容器。

2.根據權利要求1所述的方法，其包括形成所述另一組分的層，所述層貼近所述對壁的底部從所述對壁中的一者延伸到所述對壁中的另一者。

3.根據權利要求1所述的方法，其包括形成在所述垂直橫截面中直接抵靠所述絕緣結構的橫向邊緣形成所述壁的個別者，所述橫向邊緣在所述兩個橫向外區域中的不同者中。

4.根據權利要求1所述的方法，其包括形成所述壁的個別者使得所述個別壁在所述垂直橫截面中不直接抵靠所述絕緣結構的橫向邊緣，所述橫向邊緣在所述兩個橫向外區域中的不同者中。

5.根據權利要求4所述的方法，其包括在所述絕緣體結構橫向邊緣與所述壁之間形成所述共享電容器電極的導電材料。

6.根據權利要求1所述的方法，其包括在所述垂直橫截面中在所述絕緣結構的橫向邊緣上橫向形成組分與所述壁的組分不同的材料，所述橫向邊緣在所述兩個橫向外區域中的不同者中，所述不同組分材料是在形成所述壁之前形成。

7.根據權利要求6所述的方法，其包括直接抵靠所述絕緣體結構的所述橫向邊緣形成所述不同組分材料。

8.根據權利要求6所述的方法，其中所述不同組分材料的組分與所述犧牲材料的組分相同，且在至少一些所述犧牲材料從所述兩個橫向外區域中的每一者的所述去除期間去除所述不同組分材料。

9.根據權利要求6所述的方法，其中所述不同組分材料的組分與所述犧牲材料的組分不同，且在至少一些所述犧牲材料從所述兩個橫向外區域中的每一者的所述去除期間不去除所述不同組分材料。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述不同組分材料是絕緣的。

11.根據權利要求6所述的方法，其中所述不同組分材料保留在成品電路構造中。

12.根據權利要求6所述的方法，其中所述不同組分材料不保留在成品電路構造中。

13.根據權利要求6所述的方法，其中形成所述不同組分材料包括在從所述犧牲材料及所述絕緣體結構的兩個橫向外部分之間橫向去除至少一些所述犧牲材料及所述絕緣體結構之后，一直沿所述橫向中間區域中的開口的橫向相對側豎向形成此不同組分材料。