[發(fā)明專利]一種量子點(diǎn)顯示面板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910005380.0
• 申請(qǐng)日: 2019-01-03
• 公開（公告）號(hào): CN109671874B
• 公開（公告）日: 2020-04-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梅文海;張曉遠(yuǎn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/56
• 分類號(hào): H01L51/56;H01L51/50;H01L27/32
• 代理公司: 北京安信方達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11262
• 代理人: 張京波;曲鵬

本發(fā)明公開了一種量子點(diǎn)顯示面板及其制作方法、顯示裝置。量子點(diǎn)顯示面板的制作方法，包括：在基板上形成第一功能層；對(duì)所述第一功能層進(jìn)行處理，在所述第一功能層上形成帶電區(qū)域，所述帶電區(qū)域中具有第一電極性離子；在所述帶電區(qū)域形成第二電極性量子點(diǎn)層，所述第二電極性和所述第一電極性的電性相反。本發(fā)明實(shí)施例提出的量子點(diǎn)顯示面板的制作方法，利用第一電極性和第二電極性的相互吸引作用，在帶電區(qū)域形成第二電極性量子點(diǎn)層，從而形成量子點(diǎn)發(fā)光結(jié)構(gòu)層的圖案，通過對(duì)帶電區(qū)域的精確控制，從而可以精確控制量子點(diǎn)發(fā)光結(jié)構(gòu)層圖案的形狀和位置，實(shí)現(xiàn)了量子點(diǎn)發(fā)光結(jié)構(gòu)層的圖案化并保證了圖案的精確度。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種量子點(diǎn)顯示面板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術(shù)

AMOLED(Active-matrix organic light-emitting diode，有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體)曾被公認(rèn)為有希望成為取代液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)的下一代顯示器，但隨著消費(fèi)者消費(fèi)水平的提升，高分辨率產(chǎn)品成為顯示產(chǎn)品的重點(diǎn)發(fā)展方向。然而，高分辨率的AMOLED產(chǎn)品很難同LCD競爭，主要原因有：有機(jī)發(fā)光顯示的有機(jī)層結(jié)構(gòu)通常采用掩膜蒸鍍的方法制備，而掩膜蒸鍍方法存在對(duì)位困難、良品率低、無法實(shí)現(xiàn)更小面積發(fā)光的缺陷；精確控制蒸鍍區(qū)域能力不足，導(dǎo)致AMOLED無法滿足高分辨率顯示的要求；采用印刷或打印形成有機(jī)層的工藝，其獲得的分辨力也是有限的。因此，高分辨率的AMOLED產(chǎn)品存在技術(shù)難度高、產(chǎn)品良率低、價(jià)格高的問題。

隨著量子點(diǎn)技術(shù)的深入發(fā)展，電致量子點(diǎn)發(fā)光二極管(Quantum Dot LightEmitting Diodes，QLED)的研究日益深入，量子效率不斷提升，已基本達(dá)到產(chǎn)業(yè)化水平，從而，通過采用新的工藝和技術(shù)來實(shí)現(xiàn)電致量子點(diǎn)發(fā)光二極管的產(chǎn)業(yè)化已成為未來發(fā)展的趨勢。現(xiàn)有技術(shù)中，還沒有記載形成電致量子點(diǎn)發(fā)光結(jié)構(gòu)層圖案的具體方法，因此，如何形成電致量子點(diǎn)發(fā)光結(jié)構(gòu)層圖案成為亟待解決的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例的目的是，提供一種量子點(diǎn)顯示面板及其制作方法、顯示裝置，以實(shí)現(xiàn)電致量子點(diǎn)發(fā)光結(jié)構(gòu)層的圖案化。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種量子點(diǎn)顯示面板的制作方法，包括：

在基板上形成第一功能層；

對(duì)所述第一功能層進(jìn)行處理，在所述第一功能層上形成帶電區(qū)域，所述帶電區(qū)域中具有第一電極性離子；

在所述帶電區(qū)域形成第二電極性量子點(diǎn)層，所述第二電極性和所述第一電極性的電性相反。

可選地，所述制作方法還包括：

在所述第二電極性量子點(diǎn)層上形成位于所述帶電區(qū)域的第一電極性量子點(diǎn)層。

可選地，所述第一功能層的材料中包括光降解物質(zhì)，還包括納米粒子或體材料。

可選地，所述對(duì)所述第一功能層進(jìn)行處理，在所述第一功能層上形成帶電區(qū)域，包括：

采用UV光對(duì)所述第一功能層進(jìn)行照射，在UV光照射區(qū)域形成帶電區(qū)域。

可選地，所述在所述帶電區(qū)域形成第二電極性量子點(diǎn)層，包括：

在所述第一功能層上形成第二電極性量子點(diǎn)薄膜；

對(duì)所述第二電極性量子點(diǎn)薄膜進(jìn)行洗滌，除去位于所述帶電區(qū)域外圍的第二電極性量子點(diǎn)，形成位于所述帶電區(qū)域的第二電極性量子點(diǎn)層。

可選地，所述在所述第二電極性量子點(diǎn)層上形成位于所述帶電區(qū)域的第一電極性量子點(diǎn)層，包括：

在所述第二電極性量子點(diǎn)層上形成第一電極性量子點(diǎn)薄膜；