[發明專利]MEMS麥克風和電子設備在審
| 申請號: | 201910003137.5 | 申請日: | 2019-01-02 |
| 公開(公告)號: | CN109451384A | 公開(公告)日: | 2019-03-08 |
| 發明(設計)人: | 龐勝利;王順;衣明坤 | 申請(專利權)人: | 歌爾股份有限公司 |
| 主分類號: | H04R1/08 | 分類號: | H04R1/08;H04R7/04 |
| 代理公司: | 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287 | 代理人: | 胡海國 |
| 地址: | 261031 山東省濰*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 阻擋層 封裝結構 入口層 透聲孔 外部 電子設備 方向延伸 緩沖層 進聲孔 聲波 交叉設置 外部氣流 外界連通 依次層疊 傳入的 貫穿 振膜 連通 投影 應用 | ||
本發明公開一種MEMS麥克風和應用該MEMS麥克風的電子設備。其中,MEMS麥克風包括外部封裝結構及設置于外部封裝結構內的MEMS芯片,外部封裝結構包括供外部聲波傳入的進聲孔;外部封裝結構設置有進聲孔的位置包括依次層疊設置的入口層、緩沖層及阻擋層,緩沖層開設有透聲孔,入口層的面向透聲孔的表面設有貫穿入口層的第一入聲結構,阻擋層的面向透聲孔的表面設有貫穿阻擋層的第二入聲結構,第一入聲結構沿入口層的表面朝第一方向延伸設置,第二入聲結構沿阻擋層的表面朝第二方向延伸設置,第一入聲結構于阻擋層的投影與第二入聲結構交叉設置;第一入聲結構與外界連通,第二入聲結構與MEMS芯片連通。本發明的技術方案可避免MEMS芯片的振膜因外部氣流過大而遭到破壞。
技術領域
本發明涉及傳感器技術領域,特別涉及一種MEMS麥克風和應用該MEMS麥克風的電子設備。
背景技術
傳感器作為檢測器件,現已普遍應用在手機、筆記本電腦、平板電腦以及穿戴設備之中。近年來,隨著科技的快速發展,微機電系統(MEMS,Micro-Electro-MechanicalSystem)應運而生,MEMS麥克風(一種利用微機械加工技術制作出來的電能換聲器)便是其中之一,其具有體積小、頻響特性好、噪聲低等特點。當下,具有振膜的MEMS芯片與電路板上的聲孔直接對應設置,外部氣流可直接通過聲孔而作用于MEMS芯片的振膜,當外部氣流過大時,容易破壞振膜,導致不良。
發明內容
本發明的主要目的是提供一種MEMS麥克風,旨在避免MEMS芯片的振膜因外部氣流過大而遭到破壞。
為實現上述目的,本發明提出的MEMS麥克風包括外部封裝結構及設置于所述外部封裝結構內的MEMS芯片,所述外部封裝結構包括供外部聲波傳入的進聲孔;
所述外部封裝結構設置有所述進聲孔的位置包括依次層疊設置的入口層、緩沖層及阻擋層,所述緩沖層開設有透聲孔,所述入口層的面向所述透聲孔的表面設有貫穿所述入口層的第一入聲結構,所述阻擋層的面向所述透聲孔的表面設有貫穿所述阻擋層的第二入聲結構,所述第一入聲結構沿所述入口層的表面朝第一方向延伸設置,所述第二入聲結構沿所述阻擋層的表面朝第二方向延伸設置,所述第一入聲結構于所述阻擋層的投影與所述第二入聲結構交叉設置;
所述第一入聲結構與外界連通,所述第二入聲結構與MEMS芯片連通。
在本發明一實施例中,所述第一入聲結構包括若干貫穿所述入口層的第一入聲孔,若干所述第一入聲孔沿所述第一方向依次排列;
或者,所述第一入聲結構包括沿所述第一方向延伸設置的第一入聲孔。
在本發明一實施例中,定義所述第一入聲孔在垂直所述第一方向的方向上的寬度為W1,W1≤0.2mm。
在本發明一實施例中,當所述第一入聲結構包括若干貫穿所述入口層的第一入聲孔、若干所述第一入聲孔沿所述第一方向依次排列時,所述第一入聲孔為圓形孔,正方形孔、長方形孔、橢圓形孔、菱形孔或平行四邊形孔。
在本發明一實施例中,所述第二入聲結構包括若干貫穿所述阻擋層的第二入聲孔,若干所述第二入聲孔沿所述第二方向依次排列;
或者,所述第二入聲結構包括沿所述第二方向延伸設置的第二入聲孔。
在本發明一實施例中,定義所述第二入聲孔在垂直所述第二方向的方向上的寬度為W2,W2≤0.2mm。
在本發明一實施例中,當所述第二入聲結構包括若干貫穿所述阻擋層的第二入聲孔、若干所述第二入聲孔沿所述第二方向依次排列時,所述第二入聲孔為圓形孔,正方形孔、長方形孔、橢圓形孔、菱形孔或平行四邊形孔。
在本發明一實施例中,定義所述透聲孔的高度為H,40μm≤H≤1mm;
且/或,定義所述阻擋層的厚度為d,d≤0.3mm。
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