[發(fā)明專利]存儲器及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910001907.2
• 申請日: 2019-01-02
• 公開（公告）號: CN109712981B
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李冰寒
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/11521
• 分類號: H01L27/11521;H01L21/28;H01L29/423
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種存儲器的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底包括存儲區(qū)，所述存儲區(qū)包括沿第一方向排布的擦除區(qū)、浮柵區(qū)和字線位線區(qū)，所述浮柵區(qū)位于擦除區(qū)兩側(cè)，且浮柵區(qū)與擦除區(qū)鄰接，所述字線位線區(qū)位于擦除區(qū)和浮柵區(qū)兩側(cè)，且字線位線區(qū)與浮柵區(qū)鄰接；

在襯底上形成浮柵極結(jié)構(gòu)膜；

在浮柵極結(jié)構(gòu)膜上形成介質(zhì)層，所述字線位線區(qū)的介質(zhì)層內(nèi)具有暴露出所述浮柵極結(jié)構(gòu)膜的第一開口，所述第一開口延伸至所述字線位線區(qū)兩側(cè)的浮柵區(qū)內(nèi)；

在第一開口的側(cè)壁表面形成第一側(cè)墻；

在第一開口暴露出的底部形成覆蓋第一側(cè)墻部分側(cè)壁的控制柵極膜，且所述控制柵極膜表面低于所述介質(zhì)層表面；

在形成控制柵極膜之后，在第一側(cè)墻的側(cè)壁形成第二側(cè)墻；

所述第二側(cè)墻的形成方法包括：在控制柵極膜上和介質(zhì)層上形成初始第二側(cè)墻材料層，所述初始第二側(cè)墻材料層覆蓋第一側(cè)墻頂部和側(cè)壁；回刻蝕所述初始第二側(cè)墻材料層，直至暴露出介質(zhì)層表面和字線位線區(qū)的控制柵極膜表面，在第一側(cè)墻側(cè)壁形成第二側(cè)墻，所述第二側(cè)墻位于浮柵區(qū)的控制柵極膜上；

去除第一側(cè)墻、第二側(cè)墻和介質(zhì)層暴露出的控制柵極膜和浮柵極結(jié)構(gòu)膜，直至暴露出字線位線區(qū)襯底表面，形成浮柵結(jié)構(gòu)層、位于浮柵結(jié)構(gòu)層上的控制柵極層，所述介質(zhì)層、浮柵結(jié)構(gòu)層和控制柵極層之間具有第二開口；

形成第二開口后，去除擦除區(qū)上的介質(zhì)層和擦除區(qū)上的浮柵極結(jié)構(gòu)層，形成暴露出擦除區(qū)襯底的第三開口以及位于第三開口兩側(cè)的浮柵極結(jié)構(gòu)；

在第三開口中形成擦除柵極結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述介質(zhì)層的形成方法包括：在浮柵極結(jié)構(gòu)膜上形成介質(zhì)膜；在介質(zhì)膜上形成第一圖形化層，第一圖形化層覆蓋擦除區(qū)的介質(zhì)膜，且暴露出浮柵區(qū)和字線位線區(qū)的介質(zhì)膜；以所述第一圖形化層為掩膜，刻蝕所述介質(zhì)膜直至暴露出浮柵極結(jié)構(gòu)膜表面，使介質(zhì)膜形成介質(zhì)層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器的形成方法，其特征在于，形成擦除柵極結(jié)構(gòu)后，還包括：在字線位線區(qū)襯底表面形成字線結(jié)構(gòu)；所述字線結(jié)構(gòu)的形成方法包括：在第二開口內(nèi)形成初始字線結(jié)構(gòu)；在擦除柵極結(jié)構(gòu)、第一側(cè)墻、第二側(cè)墻和初始字線結(jié)構(gòu)上形成第二圖形化層，所述第二圖形化層暴露出部分初始字線結(jié)構(gòu)；以所述第二圖形化層為掩膜，刻蝕所述初始字線結(jié)構(gòu)，直至暴露出部分擦除區(qū)襯底表面，形成字線結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲器的形成方法，其特征在于，形成浮柵極結(jié)構(gòu)和第三開口前，在第二開口內(nèi)形成初始字線結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲器的形成方法，其特征在于，形成第二開口后，形成初始字線結(jié)構(gòu)前，還包括：在所述第二開口內(nèi)形成第三側(cè)墻，所述第三側(cè)墻覆蓋控制柵極層和浮柵極結(jié)構(gòu)層側(cè)壁。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述襯底還包括邏輯區(qū)，所述邏輯區(qū)在第一方向與器件區(qū)鄰接；在襯底存儲區(qū)和襯底邏輯區(qū)上形成浮柵極結(jié)構(gòu)膜；

形成浮柵極結(jié)構(gòu)和第三開口的方法包括：在初始字線結(jié)構(gòu)、第一側(cè)墻、第二側(cè)墻和邏輯區(qū)介質(zhì)層上形成第三圖形化層，所述第三圖形化層暴露出器件區(qū)介質(zhì)層表面，以所述第三圖形化層為掩膜，刻蝕去除擦除區(qū)上的介質(zhì)層、第二引線區(qū)上的介質(zhì)層、擦除區(qū)上的浮柵極結(jié)構(gòu)層和第二引線區(qū)上的浮柵極結(jié)構(gòu)層，直至暴露出擦除區(qū)和第二引線區(qū)的襯底表面，形成所述浮柵極結(jié)構(gòu)和第三開口，所述第三開口暴露出浮柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁。