[發明專利]一種SiC單晶片磨拋方法

有效

• 申請號: 201910001876.0
• 申請日: 2019-01-02
• 公開（公告）號: CN109702639B
• 公開（公告）日: 2021-02-19
• 發明（設計）人: 王瑞;梁慶瑞;王含冠
• 申請（專利權）人: 山東天岳先進科技股份有限公司
• 主分類號: B24B37/08
• 分類號: B24B37/08;B24B57/02
• 代理公司: 北京君慧知識產權代理事務所(普通合伙) 11716
• 代理人: 陳曦

1.一種SiC單晶片磨拋方法，包括對SiC切割片依次進行研磨得到預拋光晶片和對預拋光晶片進行拋光得到SiC單晶片的過程，其特征在于：在研磨過程中，所述研磨用水基研磨液通過將初始研磨液對SiC切割片進行預研磨并滿足第一條件得到；在拋光過程中，所述拋光用水基拋光液通過將初始拋光液對預拋光晶片進行預拋光并滿足第二條件后處理得到；

所述初始研磨液包括如下重量份數的原料：阻聚劑0.5-1.2份；分散劑2-4份；粉末潤滑劑0.5-1.5份；磨料15-25份；初始拋光液包括如下重量份數的原料：阻聚劑0.1-0.3份，分散劑0.2-0.5份，穩定劑20-40份，磨料10-20份；

所述第一條件為SiC切割片經研磨后去除的厚度為目標厚度的1/3-2/3；所述第二條件為初始拋光液使用時間不小于140h，并進行過濾處理。

2.根據權利要求1所述的一種SiC單晶片磨拋方法，其特征在于：所述阻聚劑包括苯醌、苯胺、苯二酚、羧甲基纖維素鈉、聚馬來酸、聚氨基酸、聚丙烯酸鈉、膦酸基羧酸、丙三醇、丙二醇中的一種或兩種以上的混合，兩種以上混合時為任意配比。

3.根據權利要求1所述的一種SiC單晶片磨拋方法，其特征在于：所述分散劑包括水玻璃、三聚磷酸鈉、六偏磷酸鈉、焦磷酸鈉、三乙基己基磷酸、十二烷基硫酸鈉、甲基戊醇、聚丙烯酰胺、古爾膠、聚乙二醇脂肪酸酯中的一種或兩種以上的混合，兩種以上混合時為任意配比。

4.根據權利要求1所述的一種SiC單晶片磨拋方法，其特征在于：所述粉末潤滑劑為石墨、六方氮化硼、二硒化鈮、二硫化鉬的一種或兩種以上的混合，兩種以上混合時為任意配比；所述粉末潤滑劑的中位粒徑為5-10μm；所述穩定劑包括乙醇、丙醇、異丙醇、丁醇、異丁醇、乙二醇、丙三醇、葡萄糖、葡萄糖酸、果糖、甘露糖、麥芽糖中的一種或兩種以上的混合，兩種以上混合時為任意配比。

5.根據權利要求1所述的一種SiC單晶片磨拋方法，其特征在于：所述預拋光晶片在進行預拋光之前放入到清洗液中進行超聲波輔助清洗；所述預拋光得到的預拋光晶片在進行拋光之前放入到清洗液中進行超聲波輔助清洗；所述清洗液為包含如下溶質的一種或多種：鹽酸、硝酸、硫酸、氫氟酸，兩種以上混合時為任意配比。

6.根據權利要求1所述的一種SiC單晶片磨拋方法，其特征在于：所述磨料為高硬度粉末材料，所述研磨液中的高硬度粉末材料的中位粒徑為10-15μm，所述拋光液中的高硬度粉末材料的中位粒徑為0.5-5μm。

7.根據權利要求6所述的一種SiC單晶片磨拋方法，其特征在于：所述高硬度粉末材料中至少含有金剛石。

8.根據權利要求7所述的一種SiC單晶片磨拋方法，其特征在于：所述高硬度粉末材料還包括立方氮化硼、碳化硼、氧化鋁中的一種或兩種以上的混合，兩種以上混合時為任意配比。

9.根據權利要求1所述的一種SiC單晶片磨拋方法，其特征在于：所述過濾處理的條件是將拋光液一次或多次經過濾膜，過濾膜孔徑范圍在0.5-1μm。