[發明專利]鏡像分柵快閃存儲器及其形成方法

有效

• 申請號: 201910001641.1
• 申請日: 2019-01-02
• 公開（公告）號: CN109712985B
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發明（設計）人: 于濤;李冰寒
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

一種鏡像分柵快閃存儲器及其形成方法，鏡像分柵快閃存儲器包括：半導體襯底；位于半導體襯底上的分立的浮柵極結構，所述浮柵極結構之間具有開口，所述開口底部暴露出半導體襯底；位于所述開口內的字線結構；位于浮柵極結構頂部表面的控制柵極結構；位于字線結構上的擦除柵極結構；位于字線結構和浮柵極結構兩側半導體襯底內的漏區。所述鏡像分柵快閃存儲器的性能得到提高。

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種鏡像分柵快閃存儲器及其形成方法。

背景技術

快閃存儲器是集成電路產品中一種重要的器件。快閃存儲器的主要特點是在不加電壓的情況下能長期保持存儲的信息。快閃存儲器具有集成度高、較快的存取速度和易于源線等優點，因而得到廣泛的應用。

快閃存儲器分為兩種類型：疊柵(stack gate)快閃存儲器和分柵(split gate)快閃存儲器。疊柵快閃存儲器具有浮柵和位于浮柵的上方的控制柵。疊柵快閃存儲器存在過源線的問題。與疊柵快閃存儲器不同的是，分柵快閃存儲器在浮柵的一側形成作為源線柵極的字線。分柵快閃存儲器能有效的避免過源線效應。

然而，現有的分柵快閃存儲器的性能較差。

發明內容

本發明解決的技術問題是提供一種鏡像分柵快閃存儲器及其形成方法，以提高鏡像分柵快閃存儲器的性能。

為解決上述技術問題，本發明提供一種鏡像分柵快閃存儲器，包括：半導體襯底；位于半導體襯底上的分立的浮柵極結構，所述浮柵極結構之間具有開口，所述開口底部暴露出半導體襯底；位于所述開口內的字線結構；位于浮柵極結構頂部表面的控制柵極結構；位于字線結構上的擦除柵極結構；位于字線結構和浮柵極結構兩側半導體襯底內的漏區。

可選的，所述浮柵極結構的高度大于字線結構的高度。

可選的，還包括：位于字線結構上的隔離層，所述隔離層頂部表面低于浮柵極結構頂部表面；所述擦除柵極結構位于所述隔離層表面。

可選的，所述隔離層的厚度為100埃～300埃。

可選的，擦除柵極結構包括：擦除柵極氧化層和位于擦除柵極氧化層表面的擦除柵極層；所述擦除柵極氧化層覆蓋隔離層表面。

可選的，所述字線結構包括位于半導體襯底表面的字線氧化層和位于字線氧化層表面的字線層，所述字線氧化層包括位于半導體襯底表面的第一字線氧化層、以及位于字線層與浮柵極結構側壁之間的第二字線氧化層。

可選的，所述第二字線氧化層的厚度為100埃～300埃。

可選的，浮柵極結構包括：浮柵極氧化層和位于浮柵極氧化層表面的浮柵極層；所述浮柵極氧化層位于半導體襯底表面。

可選的，控制柵極結構包括：控制柵極氧化層和位于控制柵極氧化層表面的控制柵極層；所述控制柵極氧化層位于浮柵極結構表面。

可選的，位于控制柵極結構頂部表面的第一側墻。

可選的，還包括：位于控制柵極結構和擦除柵極結構之間的第二側墻，所述第二側墻覆蓋控制柵極側壁。

可選的，位于字線結構和浮柵極結構兩側半導體襯底上的第三側墻，所述第三側墻覆蓋浮柵極結構和控制柵極結構側壁。

相應的，本發明提供一種的鏡像分柵快閃存儲器的形成方法，包括：提供半導體襯底；形成位于所述半導體襯底上的分立的浮柵極結構，所述浮柵極結構之間具有開口，所述開口底部暴露出半導體襯底；形成位于開口內的字線結構、分別位于浮柵極結構上的控制柵極結構和位于字線結構上的擦除柵極結構；形成位于字線結構和浮柵極結構兩側半導體襯底內的漏區。