[發明專利]三維存儲器及其制造方法

有效

• 申請號: 201910001509.0
• 申請日: 2019-01-02
• 公開（公告）號: CN109742077B
• 公開（公告）日: 2020-08-14
• 發明（設計）人: 張中;華文宇;李艷妮
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 駱希聰

1.一種三維存儲器，具有核心區和階梯區，所述階梯區具有鄰近所述核心區的頂部選擇區，所述頂部選擇區具有最靠近所述核心區的第一階梯，其中所述第一階梯在所述三維存儲器的延伸面上的投影圖形具有多個角，所述多個角中的至少一個是倒角。

2.如權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述倒角是倒直角、倒圓角或者對倒直角再進行一次或多次倒角處理得到的倒角。

3.如權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述第一階梯的所述投影圖形具有兩個角，分別位于所述第一階梯的兩端。

4.如權利要求1或2所述的三維存儲器，其特征在于，所述頂部選擇區包括位于所述核心區的相對兩側的第一頂部選擇區和第二頂部選擇區，所述第一頂部選擇區和所述第二頂部選擇區分別具有所述第一階梯。

5.如權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述頂部選擇區中所述第一階梯以外的各個階梯在所述三維存儲器的延伸面上的投影圖形的角為直角。

6.如權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述三維存儲器為3D NAND閃存。

7.一種光掩模，包括用于制造三維存儲器的階梯區中的頂部選擇區的掩模圖案，所述掩模圖案具有多個角，用于形成所述頂部選擇區中最靠近所述三維存儲器的核心區的第一階梯，其中所述多個角中的至少一個是倒角。

8.如權利要求7所述的光掩模，其特征在于，所述倒角是倒直角、倒圓角或者對倒直角再進行一次或多次倒角處理得到的倒角。

9.一種三維存儲器的制造方法，包括以下步驟：

提供半導體結構，所述半導體結構具有核心區和階梯區，所述階梯區具有鄰近所述核心區的頂部選擇區；

在所述頂部選擇區形成最靠近所述核心區的第一階梯，所述第一階梯在所述半導體結構的延伸面上的投影圖形具有多個角，所述多個角中的至少一個是倒角。

10.如權利要求9所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，所述倒角是倒直角、倒圓角或者對倒直角再進行一次或多次倒角處理得到的倒角。

11.如權利要求9所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，所述第一階梯的所述投影圖形具有兩個角，分別位于所述第一階梯的兩端。

12.如權利要求9或10所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，所述頂部選擇區包括位于所述核心區的相對兩側的第一頂部選擇區和第二頂部選擇區，其中在所述第一頂部選擇區和所述第二頂部選擇區分別形成所述第一階梯。

13.如權利要求9所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，還包括：

在所述頂部選擇區形成所述第一階梯以外的各個階梯，其中各個階梯在所述三維存儲器的延伸面上的投影圖形的角為直角。