[發明專利]陣列基板及其制備方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 201910001327.3 | 申請日: | 2019-01-02 |
| 公開(公告)號: | CN109727998A | 公開(公告)日: | 2019-05-07 |
| 發明(設計)人: | 吳柏賢;胡宏杰;宋育準;陳禎祐;馮佑雄 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人: | 牛南輝;劉薇 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列基板 介質層 第一導電層 顯示裝置 凹陷 基板 制備 導電部 覆蓋 | ||
本發明涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。所述陣列基板包括:基板;位于所述基板上的第一介質層,所述第一介質層具有凹陷;第一導電層,其覆蓋所述第一介質層;以及輔助導電部,其位于所述凹陷中且接觸所述第一導電層。
技術領域
本發明的實施例涉及顯示技術領域,尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術
有機發光二極管(Organic Light Emitting Diode,OLED)顯示器件因其自發光、全固態、高對比度等優點,稱為近年來最具潛力的新型顯示器件。
頂發射OLED顯示器件可以顯著提升OLED顯示器件的開口率,同時可以提高像素密度(Pixels Per Inch,PPI),是OLED高分辨率顯示技術開發的熱點。
發明內容
本發明的實施例提供了一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置,能夠減少電壓降(IR Drop),進而提高面板亮度均勻度。
根據本發明的一方面,提供了一種陣列基板。所述陣列基板包括:基板;位于所述基板上的第一介質層,所述第一介質層具有凹陷;第一導電層,其覆蓋所述第一介質層;以及輔助導電部,其位于所述凹陷中且接觸所述第一導電層。
在本發明的實施例中,所述第一介質層包括像素定義層。所述像素定義層具有用于限定像素的開口和位于所述開口之間的像素間部分。所述凹陷位于所述像素定義層的所述像素間部分中。
在本發明的實施例中,所述凹陷包括沿行方向延伸的第一凹陷和/或沿列方向延伸的第二凹陷。
在本發明的實施例中,所述陣列基板還包括:位于所述基板上的第二導電層,所述第二導電層的至少一部分在所述基板上的投影與所述開口在所述基板上的投影重疊;以及位于所述第一導電層與所述第二導電層之間的發光層。
在本發明的實施例中,所述第一導電層為透明的,以及所述第二導電層為反射的。
在本發明的實施例中,所述輔助導電部位于所述第一導電層之上。
在本發明的實施例中,所述輔助導電部位于所述第一介質層與所述第一導電層之間。
根據本發明的一方面,還提供了包括如上所述的陣列基板的顯示裝置。
根據本發明的一方面,還提供了一種制備陣列基板的方法。所述方法包括:提供基板;在所述基板上形成第一介質層;在所述第一介質層中形成凹陷;以及形成第一導電層和輔助導電部,其中所述第一導電層覆蓋所述第一介質層以及所述輔助導電部位于所述凹陷中且接觸所述第一導電層。
在本發明的實施例中,通過噴墨打印形成所述輔助導電部。
在本發明的實施例中,所述第一介質層包括像素定義層。所述像素定義層被形成為具有用于限定像素的開口和位于所述開口之間的像素間部分。形成所述凹陷包括:去除所述像素定義層的所述像素間部分的一部分以形成所述凹陷。
在本發明的實施例中,形成所述凹陷包括:沿行方向去除所述像素間部分的所述部分以形成第一凹陷和/或沿列方向去除所述像素間部分的所述部分以形成第二凹陷。
在本發明的實施例中,所述方法還包括:在形成所述第一導電層之前,在所述基板上在所述開口內形成第二導電層;以及在所述第二導電層和所述像素間部分上形成發光層。
在本發明的實施例中,形成所述第一導電層和所述輔助導電部包括:在所述第一介質層上形成所述第一導電層;以及在所述凹陷中的所述第一導電層上形成所述輔助導電部。
在本發明的實施例中,形成所述第一導電層和所述輔助導電部包括:在所述凹陷中形成所述輔助導電部;以及形成所述第一導電層以覆蓋所述第一介質層和所述輔助導電部。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





