[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880099571.1 | 申請日: | 2018-11-19 |
| 公開(公告)號: | CN113056817A | 公開(公告)日: | 2021-06-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 飯塚新;岡本是英;白濱亮彌 | 申請(專利權(quán))人: | 三菱電機(jī)株式會社 |
| 主分類號: | H01L23/473 | 分類號: | H01L23/473;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置(801),其具有:
第1散熱器(51),其具有第1內(nèi)表面(FI1)和與所述第1內(nèi)表面(FI1)相反的第1外表面(FO1),所述第1散熱器具有所述第1內(nèi)表面(FI1)和所述第1外表面(FO1)之間的第1貫穿孔(TH1);
第2散熱器(52),其具有與所述第1散熱器(51)的所述第1內(nèi)表面(FI1)之間隔開間隔地配置的第2內(nèi)表面(FI2)和與所述第2內(nèi)表面(FI2)相反的第2外表面(FO2),所述第2散熱器具有所述第2內(nèi)表面(FI2)和所述第2外表面(FO2)之間的第2貫穿孔(TH2);
半導(dǎo)體元件(710),其配置于所述第1散熱器(51)的所述第1內(nèi)表面(FI1)和所述第2散熱器(52)的所述第2內(nèi)表面(FI2)之間的所述間隔內(nèi);
封裝材料(70),其在所述第1散熱器(51)的所述第1內(nèi)表面(FI1)和所述第2散熱器(52)的所述第2內(nèi)表面(FI2)之間的所述間隔內(nèi)對所述半導(dǎo)體元件(710)進(jìn)行封裝;以及
第1中空管(30),其將所述第1散熱器(51)的所述第1貫穿孔(TH1)和所述第2散熱器(52)的所述第2貫穿孔(TH2)彼此連接,由金屬構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置(801),其中,
還具有第1絕緣板(731),該第1絕緣板(731)配置于所述第1散熱器(51)和所述半導(dǎo)體元件(710)之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置(801),其中,
所述第1絕緣板(731)由陶瓷構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置(801),其中,
所述第1絕緣板(731)由樹脂構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置(801),其中,
還具有第2絕緣板(733),該第2絕緣板(733)配置于所述第2散熱器(52)和所述半導(dǎo)體元件(710)之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置(801),其中,
所述第1中空管(30)在面內(nèi)方向上具有橢圓形狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置(806),其中,
所述第1中空管(34)在面內(nèi)方向上具有多邊形形狀。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置(808、808V),其中,
所述第1散熱器(51T)的所述第1外表面(FO1)成為具有朝向所述第1貫穿孔(TH1)的錐形狀的空間。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置(809),其中,
所述第1中空管(30T)具有錐形狀的內(nèi)部空間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置,其中,
所述第1中空管(30E)和所述第1散熱器(51)之間由均勻的材料連續(xù)地連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置(810),其中,
所述第1散熱器(51)及所述第2散熱器(52L)彼此接觸。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置(811),其中,
所述第1中空管(37)具有設(shè)置有凹凸構(gòu)造的內(nèi)壁。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置(801),其中,
所述半導(dǎo)體元件(710)具有由碳化硅構(gòu)成的部分。
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