[發明專利]薄膜電感及其制作方法、集成電路、終端設備

有效

• 申請號: 201880099469.1
• 申請日: 2018-12-17
• 公開（公告）號: CN113016043B
• 公開（公告）日: 2022-08-26
• 發明（設計）人: 劉寧;鄒鵬;李宏偉;蔣帆
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: H01F3/14
• 分類號: H01F3/14;H01F17/00
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 賈瑩

1.一種薄膜電感，其特征在于，包括：

磁芯，包括第一磁膜和第二磁膜；所述第一磁膜與所述第二磁膜之間具有容納腔；

導體，位于所述容納腔內；

絕緣間隔膜，設置于所述導體兩側，且位于所述第一磁膜和所述第二磁膜之間；所述絕緣間隔膜與所述第一磁膜和第二磁膜相接觸；

所述第一磁膜和所述第二磁膜均包括多層磁性子膜和多層絕緣子膜；

所述第一磁膜中，所述磁性子膜和所述絕緣子膜交替設置；

所述第二磁膜中，所述磁性子膜和所述絕緣子膜交替設置；

所述第一磁膜與所述絕緣間隔膜相接觸的表面，暴露出所述第一磁膜中多層磁性子膜和多層絕緣子膜；

和/或，

所述第二磁膜與所述絕緣間隔膜相接觸的表面，暴露出所述第二磁膜中多層磁性子膜和多層絕緣子膜；

所述第一磁膜，和/或，所述第二磁膜與所述絕緣間隔膜相接觸的表面為傾斜面；

所述第一磁膜和所述第二磁膜中的多層磁性子膜和多層絕緣子膜，與所述第一磁膜的下表面平行；

所述第一磁膜的下表面為所述第一磁膜遠離所述第二磁膜一側的表面。

2.根據權利要求1所述的薄膜電感，其特征在于，

所述第一磁膜和所述第二磁膜與所述絕緣間隔膜相接觸的表面為，斜率相同的所述傾斜面。

3.根據權利要求2所述的薄膜電感，其特征在于，所述第一磁膜為梯形臺；所述梯形臺的上底靠近所述第二磁膜，下底遠離所述第二磁膜；

所述薄膜電感還包括：

平坦化介質層，覆蓋所述梯形臺的上底，以及所述梯形臺側面的一部分；

磁通孔，制作于與所述平坦化介質層上；其中，所述絕緣間隔膜位于所述通孔內，覆蓋所述梯形臺側面的另一部分；

層間介質層，覆蓋所述平坦化介質層的上表面，以及所述磁通孔的側壁；所述層間介質層與所述絕緣間隔膜材料相同，且所述層間介質層與所述絕緣間隔膜為一體結構。

4.根據權利要求3所述的薄膜電感，其特征在于，

所述第二磁膜的尾部，覆蓋所述磁通孔遠離所述容納腔一側的側壁，以及與該側壁相連接的層間介質層的上表面；

所述第二磁膜的尾部遠離所述容納腔的一端具有錐角；所述錐角為10°～90°。

5.根據權利要求2所述的薄膜電感，其特征在于，所述第一磁膜為梯形臺；所述梯形臺的上底靠近所述第二磁膜，下底遠離所述第二磁膜；所述梯形臺的側面被所述絕緣間隔膜完全覆蓋；

所述薄膜電感還包括：

平坦化介質層，覆蓋所述梯形臺的上底；

層間介質層，覆蓋所述平坦化介質層；其中，所述層間介質層與所述絕緣間隔膜材料相同，且所述層間介質層與所述絕緣間隔膜為一體結構。

6.根據權利要求5所述的薄膜電感，其特征在于，所述第二磁膜與所述絕緣間隔膜相接觸的部分中，遠離所述容納腔的一端具有錐角；所述錐角為10°～90°。

7.根據權利要求1所述的薄膜電感，其特征在于，所述薄膜電感還包括：

種子層，位于所述容納腔內；所述種子層與所述導體靠近所述第一磁膜的一側表面相接觸；

上支撐層，位于所述容納腔內；所述導體中除了與所述種子層相接觸的表面以外，其余表面被所述上支撐層覆蓋；

粘附層，設置于所述第二磁膜靠近所述第一磁膜的一側表面。

8.根據權利要求1所述的薄膜電感，其特征在于，

所述磁性子膜的厚度為100nm～500nm；

所述絕緣子膜的厚度為5nm～50nm。

9.根據權利要求1所述的薄膜電感，其特征在于，所述第一磁膜和所述第二磁膜各向異性；

沿所述薄膜電感的難軸所在的方向，所述第一磁膜的長度小于所述第二磁膜的長度。

10.根據權利要求1所述的薄膜電感，其特征在于，所述導體為至少一條金屬導線；所述薄膜電感包括至少兩個所述磁芯；沿所述金屬導線的長度方向，相鄰兩個所述磁芯間隔設置。