[發明專利]PVD濺射沉積腔室中的傾斜磁控管

在審

• 申請號: 201880099083.0
• 申請日: 2018-11-14
• 公開（公告）號: CN112955579A
• 公開（公告）日: 2021-06-11
• 發明（設計）人: 孫立中;楊曉東;周玉飛;楊毅
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/50;C23C14/00
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種處理腔室，包括：

腔室主體；

基板支撐件，設置于所述腔室主體中；

濺射靶，設置于所述腔室主體中，所述濺射靶具有面對所述基板支撐件的表面；以及

磁控管，設置于所述濺射靶之上，所述磁控管包括磁體，所述磁體具有面對所述濺射靶的端部，所述端部界定一平面，所述平面相對于所述濺射靶的所述表面以銳角傾斜。

2.如權利要求1所述的處理腔室，其中所述磁控管進一步包括背板，并且所述磁體耦接至所述背板。

3.如權利要求2所述的處理腔室，其中所述磁控管進一步包括連接器，所述連接器設置于所述背板之上。

4.如權利要求1所述的處理腔室，進一步包括馬達，所述馬達被配置為在操作期間繞著旋轉軸旋轉所述磁控管且沿著所述旋轉軸移動所述磁控管。

5.如權利要求4所述的處理腔室，其中所述馬達被配置為在操作期間沿著所述旋轉軸連續地移動所述磁控管。

6.如權利要求4所述的處理腔室，其中所述馬達被配置為在操作期間沿著所述旋轉軸離散地移動所述磁控管。

7.一種處理腔室，包括：

腔室主體；

基板支撐件，設置于所述腔室主體中；

濺射靶，設置于所述腔室主體中，所述濺射靶具有面對所述基板支撐件的表面；以及

磁控管，設置于所述濺射靶之上，所述磁控管包括具有縱向維度的背板，所述縱向維度相對于所述濺射靶的所述表面以第一銳角傾斜。

8.如權利要求7所述的處理腔室，其中所述第一銳角的范圍是從約0.3度至約5度。

9.如權利要求7所述的處理腔室，其中所述第一銳角的范圍是從約1度至約2度。

10.如權利要求7所述的處理腔室，其中所述磁控管進一步包括耦接至所述背板的多個磁體。

11.一種與濺射靶一起使用的處理腔室，所述處理腔室包括：

腔室主體；

基板支撐件，設置于所述腔室主體中；以及

磁控管，在所述濺射靶安裝于所述處理腔室中且位于所述基板支撐件之上時，所述磁控管設置于所述濺射靶之上，所述磁控管包括磁體，所述磁體具有面對所述濺射靶的端部，所述端部界定一平面，所述平面相對于所述濺射靶的面對所述基板支撐件的表面以銳角傾斜。

12.如權利要求11所述的處理腔室，其中所述磁控管進一步包括背板，并且所述磁體耦接至所述背板。

13.如權利要求12所述的處理腔室，其中所述磁控管進一步包括連接器，所述連接器設置于所述背板之上。

14.如權利要求13所述的處理腔室，其中所述背板具有縱向維度，并且所述連接器被放置于所述背板上，使得所述背板在所述縱向維度上關于所述連接器實質對稱。

15.如權利要求11所述的處理腔室，其中所述銳角的范圍是從約0.3度至約5度。