[發(fā)明專利]用于制造具有背面介電鈍化的硅太陽能電池背面觸點的鋁漿

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880098872.2
• 申請日: 2018-12-17
• 公開（公告）號: CN113169236A
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馬克西姆·米哈伊洛維奇·弗拉森科;維亞切斯拉夫·根納季耶維奇·戈洛文;伊凡·瑟志維奇·米特臣科;安德烈·謝爾蓋維奇·羅迪奧諾夫;阿列克謝·弗拉基米羅維奇·塞爾迪克
• 申請（專利權(quán)）人: 安彼單晶體貼合有限責任公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224
• 代理公司: 無錫市匯誠永信專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32260
• 代理人: 張靜汝

1.用于制造具有背面介電鈍化的硅太陽能電池的背面接觸的鋁漿，包括鋁粉，有機粘合劑，玻璃粉，其特征在于，鋁漿還包含一種或多種堿土金屬的有機金屬化合物，其比例如下成分百分比(以wt％計)：

2.根據(jù)權(quán)利要求1的鋁漿，其特征在于，作為有機金屬化合物，它含有一種或多種鎂，鈣，鍶或鋇的油酸鹽，硬脂酸鹽或辛酸鹽的物質(zhì)混合物。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁漿，其特征在于，所述鋁漿還包含摻硼的合金(Al-Si)的粉末，所述粉末部分地替代鋁粉，并且鋁粉和摻硼的(Al-Si)合金粉的總濃度恒定，具有以下成分比率(wt％)：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鋁漿，其特征在于，糊中使用以下組分的比例，以wt％計：

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鋁漿，其特征在于，摻硼的(Al-Si)合金粉末中硼濃度在0.04-0.2wt％的范圍內(nèi)。同時，硅濃度在15-40wt％的范圍內(nèi)。