[發明專利]一種存儲塊處理方法及相關設備

有效

• 申請號: 201880098515.6
• 申請日: 2018-10-15
• 公開（公告）號: CN112805686B
• 公開（公告）日: 2023-06-06
• 發明（設計）人: 賈學超;褚艷旭
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: G06F11/00
• 分類號: G06F11/00
• 代理公司: 深圳市深佳知識產權代理事務所(普通合伙) 44285
• 代理人: 聶秀娜

本申請實施例公開了一種存儲塊處理的方法，包括：當檢測到目標存儲塊中存在至少一個壞頁時，獲取與該至少一個壞頁一一對應的至少一個壞頁位置；根據該至少一個壞頁位置，確定好區；該好區為該目標存儲塊的可用存儲區間中連續且不存在該壞頁的最大存儲區間；更新該目標存儲塊的存儲區間信息，更新后的該目標存儲塊的存儲區間信息指示該目標存儲塊的可用存儲區間為該好區。本申請實施例還提供相應的終端、計算機程序產品及可讀存儲介質。本申請中，當存儲塊中出現壞頁時，獲取該存儲塊中不包含該壞頁的連續最大存儲區間，繼續使用該連續最大存儲區間，從而避免了直接將該整個存儲塊標記為壞塊，減緩了冗余塊的消耗，延長了存儲設備的使用壽命。

技術領域

本申請涉及數據存儲領域，尤其涉及一種存儲塊處理方法及相關設備。

背景技術

固態硬盤(solid?state?drive，SSD)為存儲設備的一種，以一種閃存介質(nandflash，NAND)作為主要存儲介質，一般而言，固態硬盤讀寫數據的最小操作單元為頁，擦除數據的最小操作單元為塊。其中，每個存儲塊由連續的幾百至幾千個頁組成。隨著反復擦寫數據，NAND的可靠性不斷下降，會逐漸出現擦/寫失敗或者原始比特出錯率(raw?bit?errorrate，RBER)超過錯誤糾正碼(error?correction?code，ECC)糾錯能力的情況。

當NAND的部分頁出現上述問題時，SSD會將問題頁所在的塊標記為壞塊，不再參與讀寫擦操作，并且通過提升壞塊內一部分晶體管的閾值電壓，減少漏電流，進而減小壞塊對剩余塊的影響，從而保證數據完整性。因為SSD預留了冗余塊，用戶可見的數據空間不因壞塊而減少，所以SSD可以繼續使用。但由于SSD的冗余塊數量有限，當壞塊達到特定數量時，SSD就到了壽命終點。

由于現有技術中，一旦存儲塊中出現壞頁，就會把整個存儲塊標記為壞塊，導致冗余塊的消耗較快，且隨著冗余塊數量的減少，會導致寫放大系數的增加，也會進一步縮短SSD的使用壽命，因此，現有技術中的SSD的使用壽命較短。

發明內容

本申請實施例提供了一種存儲塊處理方法及相關設備，本申請當存儲塊中出現壞頁時，獲取該存儲塊中不包含該壞頁的連續最大存儲區間，繼續使用該連續最大存儲區間，從而避免了直接將該整個存儲塊標記為壞塊，減緩了冗余塊的消耗，延長了存儲設備的使用壽命。

本申請實施例的第一方面提供一種存儲塊處理方法，該存儲塊處理方法應用于控制器，其中，該控制器應用于存儲設備，該存儲設備包含該控制器和存儲器，該存儲器包含多個存儲塊，該存儲塊包含多個頁，該控制器中包含每個存儲塊的存儲區間信息，該存儲區間信息用于指示存儲塊的可用存儲區間。該方法可以包括：當該控制器檢測到目標存儲塊中存在至少一個壞頁時，獲取與該至少一個壞頁一一對應的至少一個壞頁位置，該至少一個壞頁位置包含與該至少一個壞頁一一對應的至少一個壞頁編號，該至少一個壞頁編號用于指示該至少一個壞頁在該目標存儲塊包含的多個頁中的排序位置，其中，當該至少一個壞頁為一個壞頁時，該至少一個壞頁位置為該一個壞頁的壞頁編號，當該至少一個壞頁中有至少兩個壞頁時，該至少一個壞頁位置中包含與該至少兩個壞頁一一對應的至少兩個壞頁編號；該控制器可以根據該至少一個壞頁編號，對該目標存儲塊的可用存儲區間進行劃分，以確定好區，其中，該好區為該目標存儲塊的可用存儲區間中連續且不存在該壞頁的最大存儲區間；該控制器可以根據該好區的起始頁的第二起始頁編號和終止頁的第二終止頁編號，更新該目標存儲塊的存儲區間信息，其中，該目標存儲塊的存儲區間信息中包含目標存儲塊的可用存儲區間的起始頁的第一起始頁編號和終止頁的第一終止頁編號，該更新后的該目標存儲塊的存儲區間信息指示該目標存儲塊的可用存儲區間為該好區，從而該控制器可以將后續接收到的用戶數據存入到該好區中。