[發明專利]一種介質濾波器、雙工器及通信設備

有效

• 申請號: 201880098232.1
• 申請日: 2018-12-26
• 公開（公告）號: CN112840508B
• 公開（公告）日: 2022-01-14
• 發明（設計）人: 梁丹;張曉峰;崔錚
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: H01P1/212
• 分類號: H01P1/212;H01P1/20
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 賈瑩

1.一種介質濾波器，其特征在于，包括：

介質本體，所述介質本體的表面覆蓋有導電層；

寬帶濾波結構和窄帶濾波結構，均設置于所述介質本體中；所述窄帶濾波結構的通帶位于所述寬帶濾波結構的通帶內；

所述寬帶濾波結構包括凹槽和至少一個第一諧振器；

所述凹槽設置于所述介質本體的第一表面，用于調節所述寬帶濾波結構的通帶的頻率位置；

所述第一諧振器包括通孔以及開路環；所述通孔貫穿所述凹槽底部與所述介質本體第二表面，且所述通孔的孔壁上覆蓋有導電層；

所述開路環位于所述凹槽的底面，且設置于所述通孔孔口的周邊；

所述凹槽的側面，以及所述凹槽底面中除了所述開路環以外的部分覆蓋有導電層；

所述窄帶濾波結構包括至少一個第二諧振器，所述第二諧振器包括設置于所述介質本體第一表面或第二表面的盲孔，所述盲孔的孔壁和底面上覆蓋有導電層；

其中，所述介質本體的第一表面和第二表面相對設置。

2.根據權利要求1所述的介質濾波器，其特征在于，所述介質本體包括兩個相連接，且為一體結構的第一介質塊和第二介質塊，以及位于所述第一介質塊和所述第二介質塊之間的耦合調節結構；

所述耦合調節結構用于調節所述第一介質塊與第二介質塊的信號耦合量；

所述寬帶濾波結構設置于所述第一介質塊中，所述窄帶濾波結構中的至少一個所述第二諧振器設置于所述第二介質塊中。

3.根據權利要求1所述的介質濾波器，其特征在于，所述介質本體包括兩個相連接，且為一體結構的第一介質塊和第二介質塊，以及位于所述第一介質塊和所述第二介質塊之間的耦合調節結構；

所述耦合調節結構用于調節所述第一介質塊與第二介質塊的信號耦合量；

所述窄帶濾波結構包括兩個所述第二諧振器，分別為相互耦合的一階第二諧振器和二階第二諧振器；

所述一階第二諧振器和所述寬帶濾波結構位于所述第一介質塊中，且所述一階第二諧振器位于所述寬帶濾波結構靠近所述第二介質塊的一側；

所述二階第二諧振器位于第二介質塊中。

4.根據權利要求2或3所述的介質濾波器，其特征在于，所述介質本體具有相對設置的第一側面和第二側面；

所述耦合調節結構包括設置于所述第一側面的第一耦合盲孔，以及設置于所述第二側面的第二耦合盲孔；所述第一耦合盲孔在所述第二側面上的正投影與所述第二耦合盲孔的至少一部分重疊；

所述第一耦合盲孔和所述第二耦合盲孔的孔壁以及底面上覆蓋有導電層。

5.根據權利要求1所述的介質濾波器，其特征在于，所述寬帶濾波結構包括兩個所述第一諧振器，分別為相互耦合的一階第一諧振器和二階第一諧振器；

所述二階第一諧振器位于所述一階第一諧振器與所述窄帶濾波結構之間。

6.根據權利要求1所述的介質濾波器，其特征在于，所述寬帶濾波結構還包括至少一個調節通孔；所述調節通孔的孔壁上覆蓋有導電層；

所述調節通孔貫穿所述凹槽底部與所述介質本體第二表面；所述調節通孔用于調節所述介質濾波器的諧波抑制能力。

7.根據權利要求6所述的介質濾波器，其特征在于，多個所述調節通孔呈矩陣形式排列，且均勻分布于所述凹槽所在的位置。

8.根據權利要求1所述的介質濾波器，其特征在于，所述寬帶濾波結構還包括第一信號孔和第二信號孔；

所述第一信號孔用于輸入信號，所述第二信號孔用于輸出信號；或者，所述第二信號孔用于輸入信號，所述第一信號孔用于輸出信號；

所述寬帶濾波結構和所述窄帶濾波結構位于所述第一信號孔和所述第二信號孔之間。