[發(fā)明專利]輻射成像的方法和系統(tǒng)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880097046.6
• 申請日: 2018-10-09
• 公開（公告）號: CN112639533A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹培炎;劉雨潤
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳幀觀德芯科技有限公司
• 主分類號: G01T1/24
• 分類號: G01T1/24
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種方法，其包括：

在輻射檢測器的像素陣列中的像素處獲得信號，其中所述信號產(chǎn)生自入射在所述輻射檢測器上的輻射；

通過利用在所述像素陣列中的一組參考像素處從所述輻射產(chǎn)生的一組參考信號的組合來校正所述信號而獲得校正信號，其中一組權(quán)重被分別應(yīng)用于所述組合中的所述參考信號組；并且

基于所述校正信號形成圖像；

其中所述權(quán)重組是所述像素相對于所述像素陣列的位置的函數(shù)。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述像素陣列中的每個(gè)像素均包含所述輻射檢測器的輻射吸收層的一部分。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述權(quán)重組是所述輻射吸收層的厚度的函數(shù)。

4.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述輻射吸收層包含硅。

5.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述信號是由所述輻射在所述輻射吸收層中產(chǎn)生的載流子所產(chǎn)生的。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述權(quán)重組是所述輻射在所述像素處的傳播方向的函數(shù)。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述權(quán)重組是所述參考像素組相對于所述像素的相對位置的函數(shù)。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述像素是所述參考像素組的成員。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述輻射是X射線或伽馬射線。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述信號和所述參考信號組產(chǎn)生于相同時(shí)間段內(nèi)。

11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述組合是所述參考信號組與應(yīng)用其中的所述權(quán)重組的和。

12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述信號表示在所述像素處的所述輻射的強(qiáng)度。

13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述輻射檢測器包括輻射吸收層和電子層；

其中所述輻射吸收層包括電極；

其中所述電子層包括電子系統(tǒng)；

其中所述電子系統(tǒng)包括：

第一電壓比較器，其被配置為將所述電極的電壓與第一閾值進(jìn)行比較，

第二電壓比較器，其被配置為將所述電壓與第二閾值進(jìn)行比較，

計(jì)數(shù)器，其被配置為記錄到達(dá)所述輻射吸收層的多個(gè)輻射光子，以及

控制器；

其中所述控制器被配置為從所述第一電壓比較器確定所述電壓的絕對值等于或超過所述第一閾值的絕對值時(shí)啟動(dòng)時(shí)間延遲；

其中所述控制器被配置為在所述時(shí)間延遲期間啟動(dòng)所述第二電壓比較器；

其中所述控制器被配置為如果所述第二電壓比較器確定所述電壓的絕對值等于或超過所述第二閾值的絕對值，則使所述計(jì)數(shù)器記錄的數(shù)目增加一。

14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述電子系統(tǒng)進(jìn)一步包括電連接到所述電極的積分器，其中所述積分器被配置為從所述電極收集載流子。

15.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述控制器被配置為在所述時(shí)間延遲的開始或期滿時(shí)啟動(dòng)所述第二電壓比較器。

16.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述電子系統(tǒng)進(jìn)一步包括電壓表，其中所述控制器被配置為使所述電壓表在所述時(shí)間延遲期滿時(shí)測量所述電壓。

17.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述控制器被配置為基于在所述時(shí)間延遲期滿時(shí)測得的所述電壓的值來確定輻射光子能量。

18.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述控制器被配置為將所述電極連接到電接地。