[發明專利]半導體結構及其形成方法有效

申請號：	201880096616.X	申請日：	2018-06-29
公開（公告）號：	CN112567511B	公開（公告）日：	2023-08-25
發明（設計）人：	王新勝;張莉;張高升;萬先進;華子群;王家文;丁滔滔;朱宏斌;程衛華;楊士寧	申請（專利權）人：	長江存儲科技有限責任公司
主分類號：	H01L23/532	分類號：	H01L23/532
代理公司：	上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294	代理人：	孫佳胤;高翠花
地址：	430074 湖北省武漢市東湖***	國省代碼：	湖北;42
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摘要：
搜索關鍵詞：	半導體結構及其形成方法
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【權利要求書】：

1.一種半導體結構，其特征在于，包括：

第一基底；

位于所述第一基底表面的第一鍵合層，所述第一鍵合層的材料為包含Si、N和C元素的介質材料，所述第一鍵合層內各位置處均包含Si元素和N元素，所述第一鍵合層與所述第一基底界面兩側的材料組分基本相同，所述第一鍵合層中C的原子濃度隨第一鍵合層厚度增加而逐漸增大，所述第一鍵合層背向所述第一基底的表層的C原子濃度大于或等于35％。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述表層厚度為

3.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，還包括：第二基底，所述第二基底表面形成有第二鍵合層，所述第二鍵合層與所述第一鍵合層表面相對鍵合固定。

4.根據權利要求3所述的半導體結構，其特征在于，所述第二鍵合層的材料為包含C元素的介質材料，所述第二鍵合層背向所述第二基底的表層的C原子濃度大于或等于35％。

5.根據權利要求3所述的半導體結構，其特征在于，所述第二鍵合層的材料與所述第一鍵合層的材料相同。

6.根據權利要求3所述的半導體結構，其特征在于，還包括：貫穿所述第一鍵合層的第一鍵合墊；貫穿所述第二鍵合層的第二鍵合墊；所述第一鍵合墊與第二鍵合墊相對鍵合連接。

7.一種半導體結構，其特征在于，包括：

第一基底；

位于所述第一基底表面的鍵合疊層，所述鍵合疊層包括鍵合的兩層鍵合層，所述鍵合疊層的材料為包含Si、N、C和O的介質材料，所述鍵合疊層內各位置處均包含Si元素和N元素，所述鍵合疊層與所述第一基底界面兩側的材料組分基本相同，所述鍵合疊層中C的原子濃度隨厚度增加而逐漸增大，所述鍵合層靠近鍵合面的表層的C原子濃度大于或等于35％。

8.如權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，所述鍵合疊層為兩層具有CH3鍵的鍵合層分別經氧化后鍵合而成。

9.如權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，還包括：第二基底，位于所述鍵合疊層背向所述第一基底的一側。

10.如權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，還包括：貫穿所述鍵合層的鍵合墊；兩個所述鍵合層內的鍵合墊相對鍵合連接。

11.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供第一基底；

在所述第一基底表面形成第一鍵合層，所述第一鍵合層的材料為包含Si、N和C元素的介質材料且含有CH3鍵，所述第一鍵合層內各位置處均包含Si元素和N元素，所述第一鍵合層與所述第一基底界面兩側的材料組分基本相同，所述第一鍵合層中C的原子濃度隨第一鍵合層厚度增加而逐漸增大；

提供第二基底；

在所述第二基底表面形成第二鍵合層，所述第二鍵合層的材料與所述第一鍵合層的材料相同；

使所述第一鍵合層、第二鍵合層的表層氧化，以使CH3鍵被氧化為OH鍵；

將所述第一鍵合層和第二鍵合層相對鍵合連接。

12.根據權利要求11所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一鍵合層和第二鍵合層的表層內的C原子濃度大于或等于35％。

13.根據權利要求11所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，采用等離子體增強化學氣相沉積工藝形成所述第一鍵合層。