[發明專利]原子層沉積裝置及利用其的原子層沉積方法

有效

• 申請號: 201880096524.1
• 申請日: 2018-11-27
• 公開（公告）號: CN112654732B
• 公開（公告）日: 2023-06-09
• 發明（設計）人: 崔鶴永;金棟元;金相勛;金根植
• 申請（專利權）人: 株式會社奈瑟斯比
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/54;C23C16/44
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 李盛泉;孫昌浩

1.一種原子層沉積裝置，用于在基板形成原子層，其特征在于，包括：

基板移送部，用于安置基板，并向第一方向及與所述第一方向不同的第二方向移送所述基板；

氣體供應部，布置于通過所述基板移送部而移送的所述基板的上方，并且包括供應源氣體的源氣體供應模塊、供應反應氣體的反應氣體供應模塊、布置于所述源氣體供應模塊與所述反應氣體供應模塊之間的吹掃氣體供應模塊；以及

氣體供應管部，包括連接所述源氣體供應模塊和源氣體供應源的源氣體供應管、連接所述反應氣體供應模塊和反應氣體供應源的反應氣體供應管，

其中，所述源氣體供應模塊及所述反應氣體供應模塊中的至少一個能夠根據所述基板移送部的基板移送方向而改變對基板的氣體供應方向，

所述源氣體供應模塊及所述反應氣體供應模塊中的至少一個包括：末端氣體供應流路，用于供應所述源氣體及所述反應氣體中的一個；第一排氣流路及第二排氣流路，將所述末端氣體供應流路置于其之間并相互隔開，并且用于向外部排出所述氣體供應部及所述基板之間的剩余氣體，

所述第一排氣流路的第一排氣壓力與所述第二排氣流路的第二排氣壓力相互之間獨立，

在所述基板移送部向所述第一方向移送所述基板的情況下，由以所述第二排氣流路為基準沿所述第一方向隔開而布置的所述第一排氣流路提供的所述第一排氣壓力小于由所述第二排氣流路提供的所述第二排氣壓力，

在所述基板移送部向所述第二方向移送所述基板的情況下，由所述第二排氣流路提供的所述第二排氣壓力小于由所述第一排氣流路提供的所述第一排氣壓力。

2.根據權利要求1所述的原子層沉積裝置，其特征在于，

所述源氣體供應模塊及所述反應氣體供應模塊中的至少一個包括：氣體供應噴嘴主體，在內部形成有與所述源氣體供應管及所述反應氣體供應管中的一個連接的所述末端氣體供應流路，所述末端氣體供應流路包括第一末端氣體供應流路及第二末端氣體供應流路，其中，所述第一末端氣體供應流路向相對于第三方向以預設的第一供應角度傾斜的方向對基板供應所述源氣體及所述反應氣體中的一個，所述第三方向與形成所述基板的平面正交并從所述氣體供應部朝向所述基板，

所述第一末端氣體供應流路及所述第二末端氣體供應流路根據所述基板的移送方向而交替地激活。

3.根據權利要求2所述的原子層沉積裝置，其特征在于，

所述第二末端氣體供應流路向相對于與形成所述基板的平面正交的所述第三方向以預設的第二供應角度傾斜的方向對基板供應所述源氣體及所述反應氣體中的一個，

由所述第一末端氣體供應流路實現的第一氣體供應方向包括與所述第一方向平行的第一水平供應矢量分量及與所述第三方向平行的第一垂直供應矢量分量，由所述第二末端氣體供應流路實現的第二氣體供應方向包括與所述第二方向平行的第二水平供應矢量分量及與第三方向平行的第二垂直供應矢量分量，所述第一垂直供應矢量分量和所述第二垂直供應矢量分量相同。

4.根據權利要求3所述的原子層沉積裝置，其特征在于，

所述第一末端氣體供應流路及所述第二末端氣體供應流路分別包括以所述第一供應角度傾斜地形成的第一噴嘴單元及以所述第二供應角度傾斜地形成的第二噴嘴單元。

5.根據權利要求3所述的原子層沉積裝置，其特征在于，

在所述基板移送部向所述第一方向移送所述基板的情況下，所述第二末端氣體供應流路被激活，在所述基板移送部沿第二方向移送所述基板的情況下，所述第一末端氣體供應流路被激活。

6.根據權利要求2所述的原子層沉積裝置，其特征在于，

所述源氣體供應模塊及所述反應氣體供應模塊中的至少一個包括：閥單元部，用于向所述第一末端氣體供應流路及所述第二末端氣體供應流路選擇性地供應所述源氣體及所述反應氣體中的一個。

7.根據權利要求6所述的原子層沉積裝置，其特征在于，

所述閥單元部包括布置于所述第一末端氣體供應流路上的第一末端閥單元及布置于所述第二末端氣體供應流路上的第二末端閥單元。