[發明專利]材料沉積設備、真空沉積系統及用以處理大面積基板的方法在審
| 申請號: | 201880096334.X | 申請日: | 2018-08-07 |
| 公開(公告)號: | CN112534564A | 公開(公告)日: | 2021-03-19 |
| 發明(設計)人: | 斯蒂芬·班格特;于爾根·亨里奇;安德里亞斯·索爾;馬蒂亞斯·赫曼尼斯;塞巴斯蒂安·鞏特爾·臧 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677;H01L51/00 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 材料 沉積 設備 真空 系統 用以 處理 大面積 方法 | ||
1.一種用以在真空腔室中沉積材料于基板上的材料沉積設備,包括:
掩模傳送軌道,所述掩模傳送軌道的至少一部份設置于所述真空腔室中,所述掩模傳送軌道經裝配以支撐掩模載體來支承掩模組件,所述掩模組件具有掩模框架及掩模;
掩模平臺,經裝配以支撐掩模組件;以及
支承裝置,耦接于所述掩模平臺,及經裝配以用于基本上垂直定向的所述掩模組件的移交或傳送。
2.根據權利要求1所述的材料沉積設備,其中所述掩模平臺在所述真空腔室中為靜止的。
3.根據權利要求1至2的任一者所述的材料沉積設備,其中所述掩模平臺具有開孔,所述開孔經裝配以避免阻擋沉積材料至所述掩模。
4.根據權利要求1至3的任一者所述的材料沉積設備,其中所述掩模平臺還包括溫度控制元件。
5.根據權利要求4所述的材料沉積設備,其中所述溫度控制元件為多個冷卻通道,以冷卻所述掩模平臺。
6.根據權利要求1至5的任一者所述的材料沉積設備,所述支承裝置包括至少二個線形部。
7.根據權利要求6所述的材料沉積設備,其中所述線形部沿著所述掩模平臺中的所述開孔的周邊延伸。
8.根據權利要求1至7的任一者所述的材料沉積設備,其中所述支承裝置包括電磁鐵及電永久磁鐵的群組的至少一者。
9.根據權利要求1至8的任一者所述的材料沉積設備,所述掩模平臺還包括突出部,所述突出部位于所述掩模平臺的開孔的下方,及經裝配以停止所述掩模組件沿著重力方向移動到所述突出部以外。
10.根據權利要求1至9的任一者所述的材料沉積設備,所述掩模傳送軌道包括:
掩模支撐裝置,用于所述掩模載體的非接觸支撐;以及
掩模驅動裝置,用于所述掩模載體的非接觸驅動。
11.根據權利要求1至10的任一者所述的材料沉積設備,還包括:
基板傳送軌道,包括:
基板支撐裝置,用于基板載體的非接觸支撐;以及
基板驅動裝置,用于所述基板載體的非接觸驅動,其中所述掩模傳送軌道設置于所述基板傳送軌道及所述掩模平臺之間。
12.根據權利要求1至11的任一者所述的材料沉積設備,還包括:
其他掩模傳送軌道;
其他掩模平臺;以及
材料沉積配置,位于所述掩模平臺及所述其他掩模平臺之間。
13.一種真空處理系統,包括:
根據權利要求1至12的任一者所述的材料沉積設備;以及
其他真空腔室,通過第一閥耦接于所述材料沉積設備的所述真空腔室,所述第一閥設置于所述真空腔室的第一側。
14.根據權利要求13所述的真空處理系統,還包括:第二閥,位于相對于所述第一側的第二側,其中所述掩模傳送軌道延伸至所述其他真空腔室中,其中所述基板傳送軌道延伸至所述其他真空腔室中,及其中掩模遮蔽物傳送軌道延伸而用于通過所述第二閥的移動。
15.一種用以處理垂直定向的大面積基板的方法,包括:
在材料沉積組件的真空腔室中以垂直定向傳送掩模載體上的掩模組件,所述掩模組件包括掩模框架及掩模;以及
將所述垂直定向中的所述掩模組件從所述掩模載體移交或傳送至所述掩模平臺。
16.根據權利要求15所述的方法,其中所述掩模平臺在所述真空腔室中為靜止的。
17.根據權利要求15至16的任一者所述的方法,所述移交或傳送包括:
同步耦接于所述掩模載體的第一支承裝置的第一電流與耦接于所述掩模平臺的第二支承裝置的第二電流,所述第一支承裝置包括至少第一電磁鐵或至少第一電永久磁鐵,所述第二支承裝置包括至少第二電磁鐵或至少第二電永久磁鐵。
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
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