[發明專利]整流裝置及具有該整流裝置的車輛用交流發電裝置

在審

• 申請號: 201880096187.6
• 申請日: 2018-08-03
• 公開（公告）號: CN112514232A
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發明（設計）人: 南真一郎;辻本勝也;小紫啟一;井上真吾
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H02M7/12
• 分類號: H02M7/12;H02K9/28
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 熊風;宋俊寅

1.一種整流裝置，其特征在于，

設置有n組串聯電路(n是2以上的自然數)，該串聯電路中連接到正極側輸出端子的正極側半導體元件和連接到負極側輸出端子的負極側半導體元件串聯連接，并且串聯連接的連接點連接到對應的交流電源，

所述正極側半導體元件和所述負極側半導體元件至少具有用于使電流從負極側流到正極側的整流功能，

對于所有所述n組，所述正極側半導體元件和所述負極側半導體元件中的一個是MOSFET，

對于所述n組中的至少一組，所述正極側半導體元件和所述負極側半導體元件中的另一個是特定二極管，

所述特定二極管是肖特基勢壘二極管、或者漏極端子和柵極端子短路的MOSFET即MOS二極管。

2.如權利要求1所述的整流裝置，其特征在于，

對于所有所述n組，所述正極側半導體元件和所述負極側半導體元件中的另一個是所述特定二極管。

3.如權利要求1或2所述的整流裝置，其特征在于，

還包括用于對所述MOSFET進行導通截止驅動的控制電路，

當所述MOSFET的源極端子的電壓超過所述MOSFET的漏極端子的電壓時，所述控制電路使所述MOSFET導通。

4.如權利要求1至3中任一項所述的整流裝置，其特征在于，

所述肖特基勢壘二極管的擊穿電壓低于所述MOSFET的鉗位電壓。

5.如權利要求1至4中任一項所述的整流裝置，其特征在于，

在25℃、100A通電的條件下，所述肖特基勢壘二極管的從負極側到正極側的正向電壓降是在0.3V至0.65V的范圍內的電壓。

6.如權利要求1至5中任一項所述的整流裝置，其特征在于，

所述特定二極管配置在比所述MOSFET更靠冷卻風的下游側的位置。

7.如權利要求6所述的整流裝置，其特征在于，

所述肖特基勢壘二極管具有從負極側到正極側的電壓降隨著溫度升高而減小的特性。

8.如權利要求6或7所述的整流裝置，其特征在于，

所有所述正極側半導體元件配置在同一平面上，并且所有所述負極側半導體元件配置在同一平面上，

配置有所有所述正極側半導體元件的平面和配置有所有所述負極側半導體元件的平面在所述冷卻風的流動方向上錯開。

9.如權利要求6至8中任一項所述的整流裝置，其特征在于，

還包括:固定有所有所述正極側半導體元件的正極側散熱器；以及固定有所有所述負極側半導體元件的負極側散熱器，

所述正極側散熱器和所述負極側散熱器中的任意一個固定有所述特定二極管的散熱器配置在比未固定有所述特定二極管的散熱器更靠所述冷卻風的下游側的位置。

10.如權利要求9所述的整流裝置，其特征在于，

還包括電路板，該電路板連接所述正極側半導體元件、所述負極側半導體元件、所述交流電源、所述正極側輸出端子以及所述負極側輸出端子，

所述電路板夾在所述冷卻風的流動方向上的所述正極側散熱器和所述負極側散熱器之間。

11.如權利要求9或10所述的整流裝置，其特征在于，

所述正極側半導體元件和所述負極側半導體元件的封裝具有圓柱狀或長方體狀，并且嵌入到形成在所述正極側散熱器和所述負極側散熱器上的圓柱狀或長方體狀的貫通孔中。

12.如權利要求1至11中任一項所述的整流裝置，其特征在于，

用于所述MOSFET和所述特定二極管的焊料是無鉛焊料。

13.一種車輛用交流發電裝置，其特征在于，包括：

如權利要求1至12中任一項所述的整流裝置、以及作為所述交流電源的n相繞組。

14.如權利要求13所述的車輛用交流發電裝置，其特征在于，

固定所述正極側半導體元件和所述負極側半導體元件的散熱器的外徑小于容納所述n相繞組的殼體的外周壁的內徑。