[發(fā)明專利]磁性粒子成像系統(tǒng)的校準方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201880094384.4
• 申請日: 2018-05-11
• 公開（公告）號: CN112400115A
• 公開（公告）日: 2021-02-23
• 發(fā)明（設計）人: 肯·巴里斯·托;塞爾哈特·伊爾貝伊;阿爾珀·貢戈;侯賽因·埃姆雷·古文;圖勒加·丘庫爾;埃米內·烏爾庫·薩麗塔斯·丘庫爾
• 申請（專利權）人: 阿塞爾桑電子工業(yè)及貿易股份公司;伊赫桑·杜格拉納西·比爾肯特大學
• 主分類號: G01R33/00
• 分類號: G01R33/00;A61B5/0515;G01R33/12
• 代理公司: 北京北新智誠知識產權代理有限公司 11100
• 代理人: 王宏偉;陳小鈺

1.磁性粒子成像系統(tǒng)的校準方法，所述磁性粒子成像系統(tǒng)用于執(zhí)行視場的磁性粒子成像，所述方法包括以下步驟：

通過機械系統(tǒng)沿一個或多個方向線性移動校準場景和/或圍繞一個或多個軸旋轉校準場景，

掃描所述視場中的無場區(qū)域并在所述校準場景的多個位置處采集校準測量數(shù)據(jù)，

在數(shù)據(jù)采集過程中，利用測量得出的數(shù)據(jù)和校準場景的位置信息，采用壓縮感測方法重構系統(tǒng)矩陣。

2.根據(jù)權利要求1所述的磁性粒子成像系統(tǒng)的校準方法，包括以下步驟：使用以下不等式表示的最優(yōu)化問題來重構所述系統(tǒng)矩陣：

其中P是在每一個測量位置時視場內的納米粒子密度分布，D是與A，即系統(tǒng)矩陣，的稀疏變換相關的矩陣；A_p是針對已編碼校準場景的每個測量位置轉換為傅立葉空間的測量矩陣；ε_p表示與系統(tǒng)噪聲引起的誤差有關的常數(shù)。

3.根據(jù)權利要求1所述的磁性粒子成像系統(tǒng)的校準方法，其中，所述校準場景連續(xù)地移動或旋轉。

4.根據(jù)權利要求1所述的磁性粒子成像系統(tǒng)的校準方法，其中，所述校準場景包括多個納米粒子樣品。

5.根據(jù)權利要求1所述的磁性粒子成像系統(tǒng)的校準方法，其中，所述校準場景中的所述納米粒子是隨機或偽隨機分布的。

6.如權利要求1所述的磁性粒子成像系統(tǒng)的校準方法，其特征在于，所述校準場景中的納米粒子連接地分布以從兩端填充和清空。

7.根據(jù)權利要求1所述的磁性粒子成像系統(tǒng)的校準方法，其中，使用跟蹤設備持續(xù)監(jiān)測所述校準場景的位置，以在數(shù)據(jù)獲取期間測量所述校準場景的位置。

8.用于磁性粒子成像系統(tǒng)的校準設備，包括：

校準場景，其內部體積具有分布的納米粒子樣品，所述校準場景大于磁性粒子成像系統(tǒng)的視場，

機械系統(tǒng)，所述機械系統(tǒng)在一個或多個方向上的線性移動所述校準場景和/或圍繞一個或多個軸旋轉所述校準場景。

9.根據(jù)權利要求8所述的用于磁性粒子成像系統(tǒng)的校準設備，其中，所述校準場景的外部幾何形狀是矩形棱柱，柱體，球體或任何任意形狀。

10.根據(jù)權利要求8所述的用于磁性粒子成像系統(tǒng)的校準設備，其中，一個或多個反射器附接到所述校準場景以跟蹤其移動。

11.根據(jù)權利要求8所述的用于磁性粒子成像系統(tǒng)的校準設備，其中，所述校準場景包括橫穿所述校準場景的采用任意路徑的單管，用于用納米粒子填充所述單管或將納米粒子從所述單管排空。

12.根據(jù)權利要求8所述的用于磁性粒子成像系統(tǒng)的校準設備，其中，所述校準場景包括橫穿所述校準場景的多個管，以用納米粒子填充所述多個管或將納米粒子從所述多個管排空。

13.根據(jù)權利要求8所述的用于磁性粒子成像系統(tǒng)的校準設備，其中，所述校準場景是一中空結構，其具有一個或多個開口，用于用納米粒子填充所述中空結構或將納米粒子從所述中空結構排空。

14.根據(jù)權利要求8所述的用于磁性粒子成像系統(tǒng)的校準設備，其中，其位置通過跟蹤裝置來跟蹤。

15.根據(jù)權利要求8所述的用于磁性粒子成像系統(tǒng)的校準設備，其中，所述機械系統(tǒng)包括與磁性粒子成像系統(tǒng)通信以執(zhí)行校準方法的控制單元。