[發(fā)明專利]制備PEDOT膜的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880092901.4
• 申請日: 2018-05-04
• 公開（公告）號: CN112074558A
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: C·克瓦恩斯特倫;P·達姆林;M·薩洛梅基;M·瑙馬;R·B·耶瓦萊
• 申請（專利權(quán)）人: 圖爾庫大學
• 主分類號: C08G61/12
• 分類號: C08G61/12;H01L51/52;H01L51/44;C09K3/16;C09D5/24;C09D165/00;H01B1/12;H01L51/00;H01G9/00;H01G9/028;H01G9/15
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 張福根;吳小瑛

1.一種用于制備聚(3,4-乙撐二氧噻吩)(PEDOT)膜的方法，所述膜包括襯底和在襯底的至少一個表面上的至少一個PEDOT層，

其中該方法包括以下步驟：

a)將包含氧化劑和堿抑制劑的溶液涂覆在所述襯底的至少一個表面上，以便在所述襯底的至少一個表面上形成氧化劑涂層，

b)通過在聚合溫度下使涂覆有氧化劑的襯底的表面暴露于3,4-乙撐二氧噻吩(EDOT)單體蒸汽，使步驟a)中形成的涂覆有氧化劑的襯底經(jīng)受聚合步驟，以在涂覆有氧化劑的襯底的表面上形成PEDOT層，以及

其中在聚合步驟中，使涂覆有氧化劑的襯底的溫度保持在受控的襯底溫度，并且其中所述受控的襯底溫度比所述聚合溫度低2至40℃。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述襯底是非導電襯底。

3.根據(jù)權(quán)利要求1至2中任一項所述的方法，其中所述方法包括以下步驟：

c)將包含所述氧化劑和所述堿抑制劑的溶液涂覆在步驟b)中形成的PEDOT層的至少一個表面上，以在PEDOT層的至少一個表面上形成氧化劑涂層，

d)通過在聚合溫度下使涂覆有氧化劑的PEDOT層的表面暴露于3,4-乙撐二氧噻吩(EDOT)單體蒸汽，使步驟c)中形成的涂覆有氧化劑的PEDOT層經(jīng)受聚合步驟，以在涂覆有氧化劑的PEDOT層的表面上形成后續(xù)的PEDOT層，

其中在聚合步驟中，使涂覆有氧化劑的PEDOT膜的溫度保持在受控的襯底溫度，并且其中所述受控的襯底溫度比所述聚合溫度低2至40℃。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述方法包括將步驟c)和步驟d)重復(fù)至少一次。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的方法，其中在所述聚合步驟中，使所述涂覆有氧化劑的襯底的溫度保持在受控的襯底溫度，并且所述受控的襯底溫度比所述聚合溫度低2-30℃，或3-20℃，或3-15℃，或5-15℃，或8-12℃。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的方法，其中所述方法是氣相聚合(VPP)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的方法，其中所述聚合溫度為55-95℃，并且所述受控的襯底溫度為40-70℃；或者60-85℃，并且所述受控的襯底溫度為45-70℃；或者所述聚合溫度為65-80℃，并且所述受控的襯底溫度為55-70℃；或者所述聚合溫度為67-77℃，并且所述受控的襯底溫度為56-66℃；或者所述聚合溫度為72-77℃，并且所述受控的襯底溫度為61-66℃。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的方法，其中基本上在整個聚合步驟期間，使涂覆有氧化劑的襯底和/或涂覆有氧化劑的PEDOT膜的溫度保持在受控的襯底溫度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的方法，其中所述聚合步驟包括兩個順序的處理時間段，在所述處理時間段之一的整個期間內(nèi)，使所述涂覆有氧化劑的襯底和/或所述涂覆有氧化劑的PEDOT膜的溫度保持在受控的襯底溫度。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至7或9中任一項所述的方法，其中所述聚合步驟包括三個順序的處理時間段，其中在中間處理時間段的整個期間內(nèi)，使所述涂覆有氧化劑的襯底和/或所述涂覆有氧化劑的PEDOT膜的溫度保持在受控的襯底溫度。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項所述的方法，其中所述方法包括在步驟a)之前清潔所述襯底的步驟。

12.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項所述的方法，其中在步驟a)中將包含所述氧化劑和所述堿抑制劑的溶液旋涂在襯底的至少一個表面上，和/或?qū)鲅趸瘎┖退鰤A抑制劑的溶液旋涂在步驟c)中形成的PEDOT層的至少一個表面上。