[發明專利]用于行錘擊刷新采樣的純時間自采用采樣的設備和方法

在審

• 申請號: 201880092561.5
• 申請日: 2018-05-24
• 公開（公告）號: CN112106138A
• 公開（公告）日: 2020-12-18
• 發明（設計）人: 吳俊;潘棟
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C11/406
• 分類號: G11C11/406
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

用于RHR刷新的純時間自采用采樣的設備和方法。一種示例設備包含：存儲器組，所述存儲器組包括各自與相應行地址相關聯的多個行；以及采樣定時發生器電路，所述采樣定時發生器電路被配置成提供具有多個脈沖的定時信號。所述多個脈沖中的每個脈沖被配置成發起對與所述多個行中的行相關聯的相應行地址的采樣，以檢測行錘擊攻擊。所述采樣定時發生器包含第一電路系統并且包含第二電路系統，所述第一電路系統被配置成在第一時間段期間提供所述多個脈沖中的第一脈沖子集，所述第二電路系統被配置成發起在所述第一時間段之后的第二時間段期間提供所述多個脈沖中的第二脈沖子集。

背景技術

半導體存儲器要求高數據可靠性、高速存儲器存取和減小芯片尺寸。作為典型的半導體存儲器裝置的動態隨機存取存儲器(DRAM)通過單元電容器中積累的電荷來存儲信息，并且因此，除非定期執行刷新操作，否則信息將丟失。由于行錘擊效應和/或Ras-Clobber效應，信息可能由于位錯誤而進一步丟失。在任何一種情況下，這種位錯誤都可能發生在一或多個存儲器單元上，每個存儲器單元耦接到非所選字線，所述非所選字線鄰近于經受行錘擊(指示所選字線被連續多次驅動到有效電平)或Ras-Clobber(指示所選字線在相當長的時段內連續被驅動到有效電平)的所選字線。因此，在丟失存儲在其中的信息之前，需要刷新耦接到這種非所選字線的存儲器單元。另一方面，指示刷新操作的自動刷新(AREF)命令是從控制DRAM的控制裝置(如存儲器控制器)定期發出的。在所有字線在一個刷新周期(例如，64毫秒)內一定被刷新一次的頻率下，從控制裝置提供AREF命令。然而，根據AREF命令的刷新地址由DRAM中提供的刷新計數器確定。因此，響應于AREF命令的刷新操作可能無法防止由于行錘擊效應和/或Ras-Clobber效應而引起的位錯誤。因此，執行竊取刷新以執行行錘擊刷新(RHR)操作，其中響應于AREF命令的刷新操作中的一些刷新操作從其中被竊取，并且然后分配給RHR操作以刷新耦接到鄰近于經受行錘擊和/或Ras-Clobber的所選字線的非所選字線的存儲器單元。

動態控制竊取刷新的一種方法是通過隨機化采樣定時來對行地址進行基于時間的隨機采樣。然而，如果RHR操作之間的時間過長，則使用隨機采樣的一些實施方案可能會具有不進行采樣的時段。

發明內容

本文描述了示例設備。一種示例設備可以包含：存儲器組，所述存儲器組包括各自與相應行地址相關聯的多個行；以及采樣定時發生器電路，所述采樣定時發生器電路被配置成提供具有多個脈沖的定時信號。所述多個脈沖中的每個脈沖被配置成發起對與所述多個行中的行相關聯的相應行地址的采樣，以檢測行錘擊攻擊。所述采樣定時發生器包含第一電路系統并且包含第二電路系統，所述第一電路系統被配置成在第一時間段期間提供所述多個脈沖中的第一脈沖子集，所述第二電路系統被配置成發起在所述第一時間段之后的第二時間段期間提供所述多個脈沖中的第二脈沖子集。

另一種示例方法可以包含多個存儲器組。所述多個存儲器組中的每個存儲器組包含被配置成存儲中斷刷新的地址的鎖存器。所述示例設備可以進一步包含采樣定時發生器電路，所述采樣定時發生器電路被配置成接收振蕩信號。所述采樣定時發生器電路包括第一電路系統，所述第一電路系統被配置成在第一時間段期間在觸發信號上提供第一脈沖集合以對所述地址進行采樣。所述采樣定時發生器電路進一步包括第二電路系統，所述第二電路系統被配置成確定是否發起在第二時間段期間在所述觸發信號上提供第二脈沖集合以對地址進行采樣。所述第一時間段和所述第二時間段是非重疊的時間段。

本文描述了示例方法。一種示例方法可以包含：在行錘擊刷新間隔的第一時間段期間，在來自采樣定時發生器電路的定時信號上提供第一脈沖子集，以觸發對與存儲器組的多個行中的行相關聯的相應行地址的采樣；以及發起在所述第一時間段之后的所述行錘擊刷新間隔的第二時間段期間在所述定時信號上提供第二脈沖子集。

附圖說明

圖1描繪了根據本公開的實施例的半導體裝置的框圖。

圖2A描繪了根據本公開的實施例的采樣電路的電路圖。