[發(fā)明專利]具有諧波控制電路的射頻功率放大器及其制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201880092546.0
• 申請日: 2018-04-17
• 公開（公告）號: CN112106294A
• 公開（公告）日: 2020-12-18
• 發(fā)明（設計）人: 王占倉;賀陳
• 申請（專利權）人: 瑞典愛立信有限公司
• 主分類號: H03F3/26
• 分類號: H03F3/26;H03F1/56
• 代理公司: 北京市路盛律師事務所 11326
• 代理人: 李宓;陳靜

1.一種射頻功率放大器，包括：

平面電介質(zhì)基板(60)；

第一導電層(61)，所述第一導電層(61)設置在平面電介質(zhì)基板(60)的第一側上，以及

第二導電層(62)，所述第二導電層(62)設置在平面電介質(zhì)基板(60)的第二側上；

其中，第一導電層(61)具有包括一個或多個諧波控制電路(51)的圖案；

其中，第二導電層(62)充當接地平面；以及

其中，平面電介質(zhì)基板(60)的第二側與平面電介質(zhì)基板(60)的第一側相對。

2.根據(jù)權利要求1所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述諧波控制電路包括：

微帶型的傳輸線(601)；和

第一電容器結構(6021)和第二電容器結構(6022)，所述第一電容器結構(6021)和第二電容器結構(6022)與傳輸線(601)并聯(lián)地耦合，并且關于傳輸線(601)對稱地設置；

其中，傳輸線(601)的端部的寬度大于傳輸線(601)的主體的寬度，以形成階梯式阻抗變換器。

3.根據(jù)權利要求2所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述第一電容器結構和第二電容器結構包括微帶叉指電容器(70)，用于增加特定諧波頻率帶上的諧波抑制水平。

4.根據(jù)權利要求3所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述叉指電容器包括：

并聯(lián)地耦合的至少一個U形微帶(701)；

并聯(lián)地耦合的至少一個T形微帶(702)；

其中，U形微帶(701)包括平行延伸的兩個指狀物(7011)；并且

其中，T形微帶(702)包括指狀物(7021)，所述指狀物(7021)設置在U形微帶(701)的兩個指狀物(7011)之間的空間中，并平行于U形微帶(701)的兩個指狀物(7011)延伸。

5.根據(jù)權利要求4所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述U形微帶(701)的兩個指狀物(7011)和T形微帶(702)的指狀物(7021)具有的寬度大于傳輸線(601)的主體的寬度。

6.根據(jù)權利要求2所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述諧波控制電路還包括：

在諧波控制電路(51)的輸入側，串聯(lián)地耦合到傳輸線(601)的微帶型的輸入阻抗線(904)；以及

在諧波控制電路(51)的輸出側，串聯(lián)地耦合到傳輸線(601)的微帶型的輸出阻抗線(905)。

7.根據(jù)權利要求2所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述傳輸線(601)、第一電容器結構(6021)和第二電容器結構(6022)通過交叉結彼此耦合；以及

其中，第一電容器結構(6021)和第二電容器結構(6022)通過以下之一與交叉結耦合：方角和最佳斜接角。

8.根據(jù)權利要求1所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述一個或多個諧波控制電路(51)配置為獨立于射頻功率放大器的基本頻率匹配網(wǎng)絡和偏置網(wǎng)絡。

9.根據(jù)權利要求1所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述一個或多個諧波控制電路(51)配置為在具有深諧波抑制電平的諧波頻率的寬帶上充當短路終端或開路終端。

10.根據(jù)權利要求1所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述平面電介質(zhì)基板(60)是印刷電路板(PCB)或半導體芯片的一部分。

11.根據(jù)權利要求1所述的射頻功率放大器，其特征在于，所述一個或多個諧波控制電路(51)包括：在以下至少之一中級聯(lián)的多個諧波控制電路(51)：匹配網(wǎng)絡和偏置網(wǎng)絡，因此這樣就構成了高階諧波控制電路，它支持更寬的諧波抑制帶寬和更深的諧波抑制水平。