[發(fā)明專利]晶片的邊緣區(qū)域檢查裝置及檢查方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880092352.0 | 申請日: | 2018-05-17 |
| 公開(公告)號: | CN111971782A | 公開(公告)日: | 2020-11-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 黃炳文 | 申請(專利權(quán))人: | 耐瑟思遠(yuǎn)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/677;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人: | 金鮮英;張敬強(qiáng) |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶片 邊緣 區(qū)域 檢查 裝置 方法 | ||
1.一種晶片的邊緣區(qū)域檢查裝置,檢查晶片的邊緣區(qū)域中的裂紋或缺陷或諸如損壞之類的缺陷并檢查用于對準(zhǔn)缺口的晶片的邊緣區(qū)域,所述晶片的邊緣區(qū)域檢查裝置的特征在于,包括:
晶片裝載和卸載部,其在支撐件上裝載和卸載所要檢查的晶片;
真空吸附部,其具備將通過上述晶片裝載和卸載部而位于上述支撐件上的晶片以非接觸狀態(tài)真空吸附的真空吸盤;
旋轉(zhuǎn)部,其為了連續(xù)地檢查上述晶片的邊緣區(qū)域而使真空吸附了晶片的真空吸盤旋轉(zhuǎn);
邊緣檢查用線掃描部,其設(shè)置于與上述晶片相同的平面上并檢查通過上述旋轉(zhuǎn)部而旋轉(zhuǎn)的晶片的邊緣區(qū)域和缺口位置;以及,
控制部,其控制上述真空吸盤的位置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片的邊緣區(qū)域檢查裝置,其特征在于,
上述邊緣檢查用線掃描部在上述晶片未與真空吸盤接觸的狀態(tài)下隨上述晶片的旋轉(zhuǎn)而檢查晶片的整個外圍的邊緣區(qū)域部分并掌握缺口位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片的邊緣區(qū)域檢查裝置,其特征在于,
上述邊緣檢查用線掃描部具備供上述晶片的邊緣區(qū)域部分插入且執(zhí)行用于檢查邊緣區(qū)域的發(fā)光和受光的光學(xué)功能的插入部,
在上述晶片插入到上述邊緣檢查用線掃描部的插入部中的狀態(tài)下執(zhí)行上述晶片的邊緣區(qū)域部分的檢查和缺口位置的對準(zhǔn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片的邊緣區(qū)域檢查裝置,其特征在于,
進(jìn)一步包括晶片安裝位置檢查部,其具備用于識別上述晶片的安裝位置的相機(jī),
上述晶片安裝位置檢查部拍攝通過上述晶片裝載和卸載部而安裝在上述支撐件上的晶片的位置狀態(tài),并輸出對于所拍攝的晶片的安裝位置的位置信息,
上述控制部根據(jù)上述位置信息而控制上述真空吸盤的位置并控制上述真空吸盤的移動以使上述晶片和真空吸盤的中心位置一致。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片的邊緣區(qū)域檢查裝置,其特征在于,
上述控制部與多個晶片各自的尺寸對應(yīng)而執(zhí)行上述晶片的邊緣區(qū)域部分的檢查和缺口位置的對準(zhǔn)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片的邊緣區(qū)域檢查裝置,其特征在于,
進(jìn)一步包括:
空氣供給部,其對于上述真空吸盤排出空氣并吸入空氣以能夠真空吸附上述晶片;
X軸驅(qū)動部,其使上述真空吸盤沿X方向移動;
Y軸驅(qū)動部,其使上述真空吸盤沿Y方向移動;以及,
Z軸驅(qū)動部,其使上述真空吸盤沿Z方向移動,
上述控制部根據(jù)在上述晶片安裝位置檢查部和邊緣檢查用線掃描部的檢查結(jié)果而控制上述空氣供給部、X軸驅(qū)動部、Y軸驅(qū)動部、Z軸驅(qū)動部以及旋轉(zhuǎn)部。
7.一種晶片的邊緣區(qū)域檢查方法,其特征在于,包括:
(a)將所要檢查的晶片裝載在支撐件上的步驟;
(b)在通過上述步驟(a)而在支撐件上已裝載晶片的狀態(tài)下使真空吸盤上升并以非接觸狀態(tài)真空吸附晶片的步驟;
(c)為了確認(rèn)上述晶片是否已裝載到預(yù)先設(shè)定的位置而使在上述步驟(b)中真空吸附了上述晶片的真空吸盤旋轉(zhuǎn)且位置檢查部的相機(jī)進(jìn)行拍攝以執(zhí)行晶片和真空吸盤的同心檢查的步驟;
(d)為了使在上述步驟(c)中通過位置檢查部識別的晶片的位置與存儲于存儲器的正常位置匹配而使真空吸盤沿X方向或Y方向移動以使真空吸盤的中心與晶片的中心一致的步驟;
(e)為了在上述步驟(d)中真空吸盤的中心與晶片的中心一致的狀態(tài)下檢查晶片的邊緣區(qū)域而使以非接觸狀態(tài)真空吸附了晶片的真空吸盤移動到邊緣檢查用線掃描部的插入部的步驟;以及,
(f)在以非接觸狀態(tài)被真空吸附的晶片插入到晶片的檢查位置即邊緣檢查用線掃描部的插入部中的狀態(tài)下使真空吸盤旋轉(zhuǎn)而在晶片的整個外圍的邊緣區(qū)域進(jìn)行邊緣檢查并掌握缺口位置的步驟。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片的邊緣區(qū)域檢查方法,其特征在于,
上述真空吸附以旋風(fēng)式或伯努利式執(zhí)行。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片的邊緣區(qū)域檢查方法,其特征在于,
進(jìn)一步包括(g)在上述步驟(f)中的在晶片的整個外圍的邊緣區(qū)域的邊緣檢查和缺口位置的掌握結(jié)束之后將以非接觸狀態(tài)真空吸附了晶片的真空吸盤從上述插入部抽出并將晶片安裝到支撐件上之后卸載的步驟,
對多個晶片各自依次執(zhí)行上述步驟(a)至步驟(g)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





