[發明專利]顯示裝置及其驅動方法

有效

• 申請號: 201880091844.8
• 申請日: 2018-03-28
• 公開（公告）號: CN111971738B
• 公開（公告）日: 2022-12-27
• 發明（設計）人: 上野哲也
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: G09G3/3233
• 分類號: G09G3/3233;G09G3/20
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 葉乙梅

本發明公開了一種電流驅動型的顯示裝置，能夠采用內部補償方式，且能夠顯示不會產生原本的顯示內容不包含的亮點的良好的圖像。在有機EL顯示裝置的像素電路(15)中，在數據信號線Dj的電壓經由二極管連接狀態的驅動晶體管(M1)寫入保持電容器(C1)之前，驅動晶體管(M1)的柵極電壓Vg被初始化。像素電路(15)連接有用于初始化該柵極電壓Vg的第一初始化電壓線Vini1和用于初始化有機EL元件OLED的陽極電壓Va的第二初始化電壓線Vini2。在該柵極電壓Vg的初始化中，比第二初始化電壓線Vini2的電壓高的第一初始化電壓線Vini1的電壓經由第一初始化晶體管(M4)施加到驅動晶體管(M1)的柵極端子。

技術領域

本發明涉及一種顯示裝置，更詳細地，涉及一種具備有機EL(ElectroLuminescence：電致發光)顯示裝置等的由電流驅動的顯示元件的電流驅動型的顯示裝置及其驅動方法。

背景技術

近年來，具備包含有機EL元件(也稱為有機發光二極管(Organic Light EmittingDiode：OLED))的像素電路的有機EL顯示裝置實用化。有機EL顯示裝置的像素電路在包括有機EL元件的基礎上，還包括驅動晶體管、寫入控制晶體管、保持電容器等。在驅動晶體管或寫入控制晶體管中，使用薄膜晶體管(Thin Film Transistor)，驅動晶體管的作為控制端子的柵極端子連接有保持電容器，從驅動電路經由數據信號線，對該保持電容器施加與表示應該顯示的圖像的影像信號對應的電壓(更詳細地，是表示應該由該像素電路形成的像素的灰度值的電壓，以下稱為“數據電壓”)。有機EL元件是以與流過其的電流對應的亮度發光的自發光型顯示元件。驅動晶體管與有機EL元件串聯地設置，根據保持電容器所保持的電壓來控制流入有機EL元件的電流。

有機EL元件和驅動晶體管的特性會發生偏差、變動。因此，為了在有機EL顯示裝置中進行高畫質顯示，需要補償這些元件的特性的偏差、變動。關于有機EL顯示裝置，已知元件的特性的補償在像素電路的內部進行的方法和在像素電路的外部進行的方法。作為與前者的方法對應的像素電路，已知構成為在進行了驅動晶體管的柵極端子的電壓即保持在保持電容器中的電壓的初始化之后，經由二極管連接狀態的驅動晶體管以數據電壓對保持電容器進行充電的像素電路。在這樣的像素電路中，在其內部補償驅動晶體管中的閾值電壓的偏差、變動(以下，將該閾值電壓的偏差、變動的補償稱為“閾值補償”)。

如上所述，專利文獻1、2中記載了與在像素電路內進行閾值補償的方式(以下稱為“內部補償方式”)的有機EL顯示裝置相關的事項。即，在專利文獻1所記載的發光裝置的像素電路中，在N溝道型的驅動晶體管的源極連接發光元件(有機EL元件)的陽極，其陰極連接到低電位側電位VCT的電位線，保持電容介于驅動晶體管的柵極/源極之間(圖4)。在該像素電路中，在補償動作前的初始化期間，驅動晶體管的柵極/源極之間的電壓VGS大于驅動晶體管的閾值電壓VTH且小于發光元件的閾值電壓VTH_E(驅動晶體管被控制為導通狀態，且發光元件被控制為非發光狀態)，驅動晶體管的柵極和源極的電位分別設定初始化電位VINI1和VINI2(參照段落[0028]～[0029])。

此外，在專利文獻2所記載的有機EL裝置中，P溝道型的驅動晶體管的漏極經由發光控制晶體管連接到有機EL元件的像素電極(陽極)，其相對電極(陰極)與低電源電位VCT的電位線連接，在驅動晶體管的柵極/源極間等存在電容。此外，在驅動晶體管的柵極/漏極間設置有作為開關元件的晶體管，在其漏極與供給線115之間設置有放電控制晶體管(圖10)。該像素電路構成為，在驅動晶體管的柵極電位Vg的初始化時，對其柵極賦予比提供給其漏極的電位(GND)高的電位VX[i]＝VH(圖11)，以對其漏極的蓄積電荷或有機EL像素的寄生電容的蓄積電荷進行放電。這是為了在進行有效的放電的同時，減少在初始化時經由驅動晶體管和放電晶體管流到供給線115的電流(參照段落[0062])。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2011-33678號公報