[發明專利]摻硼p型硅晶片的蝕刻方法、金屬污染評價方法及制造方法

有效

• 申請號: 201880091625.X
• 申請日: 2018-12-12
• 公開（公告）號: CN111868888B
• 公開（公告）日: 2023-09-22
• 發明（設計）人: 加藤宏和;山下崇史
• 申請（專利權）人: 勝高股份有限公司
• 主分類號: H01L21/302
• 分類號: H01L21/302;G01N33/00;H01L21/66
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 童春媛;楊戩

1.一種摻硼p型硅晶片的蝕刻方法，包括：

通過將含臭氧的氣體及氫氟酸霧引入腔室內進行混合，來調制蝕刻氣體；以及

通過使電阻率為0.016Ωcm以下的摻硼p型硅晶片的表面與所述蝕刻氣體接觸，來將所述摻硼p型硅晶片的表層區域氣相分解；

且還包括：

以3000sccm以上的流量將所述含臭氧的氣體引入所述腔室內；以及

通過霧化氟化氫濃度為41質量％以上的氫氟酸來調制所述氫氟酸霧。

2.根據權利要求1所述的摻硼p型硅晶片的蝕刻方法，其中，所述含臭氧的氣體的臭氧濃度在0.5～3.5質量％的范圍。

3.根據權利要求1或2所述的摻硼p型硅晶片的蝕刻方法，其中包括：通過以700sccm以上1300sccm以下的流量的載氣霧化所述氫氟酸，來調制所述氫氟酸霧。

4.根據權利要求3所述的摻硼p型硅晶片的蝕刻方法，其中包括：將所述載氣引入與引入所述含臭氧的氣體及所述氫氟酸霧的所述腔室不同的腔室，并在所述不同的腔室內進行所述氣相分解。

5.一種摻硼p型硅晶片的金屬污染評價方法，其中，

評價對象的摻硼p型硅晶片的電阻率為0.016Ωcm以下，

所述金屬污染評價方法包括：

通過根據權利要求1至4中任一項所述的蝕刻方法蝕刻所述摻硼p型硅晶片；

使回收液在所述蝕刻后的摻硼p型硅晶片的表面上掃掠；

將所述掃掠過的回收液從所述摻硼p型硅晶片的表面回收；以及

分析所述回收液中的金屬成分。

6.一種摻硼p型硅晶片的制造方法，包括：

在摻硼p型硅晶片的制造工序中，制造電阻率為0.016Ωcm以下的工序評價用摻硼p型硅晶片；

通過根據權利要求5所述的金屬污染評價方法評價所述工序評價用摻硼p型硅晶片的金屬污染的有無、程度、或有無及程度；以及

基于所述評價的結果判定所述制造工序的工序管理的必要性，在判定為需要工序管理的情況下則在實施工序管理之后，在判定為不需要工序管理的情況下則不經工序管理，而進行用于作為制品出貨的摻硼p型硅晶片的制造。