[發明專利]用于識別電路缺陷并用于避免調節器中的過電壓的電路

有效

• 申請號: 201880091396.1
• 申請日: 2018-11-23
• 公開（公告）號: CN111868660B
• 公開（公告）日: 2022-11-18
• 發明（設計）人: H·巴拉蘇布拉馬尼亞姆
• 申請（專利權）人: 羅伯特·博世有限公司
• 主分類號: G05F1/563
• 分類號: G05F1/563;G05F1/569;G05F1/571
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 郭毅

1.一種用于識別電路缺陷和/或用于避免調節器中的過電壓的電路，所述電路包括：

-功率調節器電路，所述功率調節器電路具有第一晶體管(MOS_PWR)、包括運算放大器(OTA_PWR)以及第一參考電壓源(V_REF1)的調節環路、反饋電阻(R₁，R₂，R₃)；

-過電壓抑制電路，所述過電壓抑制電路具有第二晶體管(MOS_PROT)、包括運算放大器(OTA_PROT)以及參考電壓源(V_REF2)的調節環路、反饋電阻(R₄，R₅，R₆)；

其中，所述功率調節器電路設置為用于為所述過電壓抑制電路提供電壓(V_{DD_PWR})，所述過電壓抑制電路設置為用于提供受保護的電壓(V_{DD_PROT})。

2.根據權利要求1所述的電路，所述電路還包括第三晶體管(MOS_OV)，所述第三晶體管的柵極連接端與所述第二晶體管(MOS_PROT)的源極連接端連接，并且所述第三晶體管設置為用于限制所述第三晶體管(MOS_OV)的源極連接端上的過電壓。

3.根據權利要求2所述的電路，其中，在所述第三晶體管(MOS_OV)的所述源極連接端上連接有第一比較器(COMP_OV)的輸入端，所述第一比較器設置為用于通過將受限的電壓(V_OV)與所述第二參考電壓源(V_REF2)的電壓進行比較來探測過電壓。

4.根據權利要求3所述的電路，其中，設置為用于探測過電壓的所述第一比較器(COMP_OV)被設置為用于輸出表示過電壓的二進制值(FLAG_OV)。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的電路，所述電路還包括用于借助第二比較器(COMP_UV)來探測所述功率調節器的欠電壓的電路，所述第二比較器將所述第二參考電壓源(V_REF2)的電壓與通過所提供的受保護的電壓(V_{DD_PROT})而獲得的電壓(V_UV)進行比較。

6.根據權利要求5所述的電路，其中，設置為用于探測欠電壓的所述第二比較器(COMP_UV)被設置為用于輸出表示欠電壓的二進制值(FLAG_UV)。

7.根據權利要求1至4中任一項所述的電路，所述電路還包括用于借助兩個比較器(COMP_UV1，COMP_UV2)來探測所述功率調節器的欠電壓的電路，其中設置，將通過所述第一參考電壓源或所述第二參考電壓源(V_REF1，V_REF2)的電壓而獲得的電壓與借助所述所提供的受保護的電壓(V_{DD_PROT})而獲得的電壓(V_UV)進行比較。

8.根據權利要求7所述的電路，其中，所述兩個比較器(COMP_UV1，COMP_UV2)設置為用于輸出表示欠電壓的二進制值(FLAG_UV1，FLAG_UV2)。

9.根據權利要求8所述的電路，其中，設置有邏輯與門(AND)，所述邏輯與門用于將反映欠電壓的二進制值(FLAG_UV1，FLAG_UV2)相關聯。