[發明專利]磁盤基板及其制造方法以及磁盤

有效

• 申請號: 201880090996.6
• 申請日: 2018-11-28
• 公開（公告）號: CN111886648B
• 公開（公告）日: 2021-09-17
• 發明（設計）人: 村田拓哉;北脇高太郎;米光誠;藤井康生;坂本遼;畠山英之;戶田貞行
• 申請（專利權）人: 株式會社UACJ;古河電氣工業株式會社
• 主分類號: G11B5/73
• 分類號: G11B5/73;C22C21/00;C22F1/04;G11B5/84;C22F1/00
• 代理公司: 北京天達共和知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11586
• 代理人: 張嵩;薛侖

1.一種磁盤基板，其特征在于，包括：

鋁合金基板和形成于所述鋁合金基板的表面的基底鍍層；

在從所述磁盤基板的表面向深度方向的輝光放電發射光譜分析中，在形成于所述基底鍍層與所述鋁合金基板之間的邊界區域中，所述鋁合金基板內部的Al的發光強度的平均值為50～84％的特定邊界區域(D(1)_I(50-84))中的Fe的發光強度的最大值(I(1)_Fe(max))，大于所述鋁合金基板內部的Fe的發光強度的平均值(I(1)_Fe(ave))；

所述鋁合金基板包括：Fe：0.4～3.0mass％、Mn：0.1～3.0mass％、Cu：0.005～1.000mass％及Zn：0.005～1.000mass％，所述鋁合金基板可選地含有從Si：0.1～0.4mass％、Ni：0.1～3.0mass％、Mg：0.1～6.0mass％、Cr：0.01～1.00mass％及Zr：0.01～1.00mass％構成的組中選擇的至少1種元素，所述鋁合金基板可選地含有合計在0.005～0.500mass％的范圍內的、從Ti、B及V構成的組中選擇的至少1種元素，余量由Al及不可避免的雜質構成。

2.如權利要求1所述的磁盤基板，其特征在于，

所述基底鍍層是無電解Ni-P鍍層。

3.如權利要求1或2所述的磁盤基板，其特征在于，

在從用于所述磁盤基板的鋁合金基板的原板的表面向深度方向的輝光放電發射光譜分析中，所述鋁合金基板的原板內部的Al的發光強度的平均值為50～84％的特定表層區域(D(2)_I(50-84))中的Fe的發光強度的最大值(I(2)_Fe(max))，為所述鋁合金基板的原板內部的Fe的發光強度的平均值(I(2)_Fe(ave))的1.1倍以上。

4.一種如權利要求1至3的任意一項所述的磁盤基板的制造方法，其特征在于，

具有制作用于所述磁盤基板的鋁合金基板的原板的工序；

制作所述鋁合金基板的原板的工序包含：

將鋁合金基材沖切為圓環狀而形成盤坯的沖切加工處理，

以加壓狀態加熱所述盤坯的加壓平坦化退火處理，以及

對平坦化后的所述盤坯的兩面進行每面1μm以上厚度的磨削加工的磨削加工處理。

5.如權利要求4所述的磁盤基板的制造方法，其特征在于，

制作所述鋁合金基板的原板的工序在所述磨削加工處理之前，還包含對所述盤坯的兩面進行切削加工的切削加工處理。

6.如權利要求4所述的磁盤基板的制造方法，其特征在于，

制作所述鋁合金基板的原板的工序在所述磨削加工處理之前，還包含對所述盤坯的兩面進行每面1μm以上厚度的預磨削加工的預磨削加工處理。

7.一種磁盤，其特征在于，包括：

如權利要求1至3的任意一項所述的磁盤基板，以及

直接或隔著中間層形成于所述磁盤基板的所述基底鍍層上的磁性層。