[發明專利]熱利用裝置

在審

• 申請號: 201880090904.4
• 申請日: 2018-03-06
• 公開（公告）號: CN111819425A
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發明（設計）人: 原晉治;太田尚城;青木進;小村英嗣;海津明政
• 申請（專利權）人: TDK株式會社
• 主分類號: G01J1/02
• 分類號: G01J1/02
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦

1.一種熱利用裝置，其中，

具有：

電阻根據溫度而變化的熱敏電阻；以及

連接于所述熱敏電阻的配線層，

所述配線層中的聲子的平均自由行程比由所述配線層的材料構成的無限介質中的聲子的平均自由行程小。

2.根據權利要求1所述的熱利用裝置，其中，

具有支撐所述熱敏電阻和所述配線層，并且具有比所述配線層低的熱傳導率的支撐層。

3.根據權利要求2所述的熱利用裝置，其中，

具有形成相對于外部為負壓的內部空間的容器、以及在所述內部空間被所述容器支撐的多個支柱，所述熱敏電阻、所述配線層和所述支撐層被容納于所述內部空間，所述支撐層僅經由所述多個支柱而連接于所述容器。

4.根據權利要求3所述的熱利用裝置，其中，

所述支撐層具有支撐所述熱敏電阻的中央部、以及保持所述配線層的至少一部分并連接所述中央部和所述支柱的臂部。

5.根據權利要求4所述的熱利用裝置，其中，

所述配線層的中心線與所述臂部的延伸的方向交叉。

6.根據權利要求1～5中的任一項所述的熱利用裝置，其中，

具有將所述配線層在該配線層的厚度方向上分離并且熱傳導率比所述配線層低的分離層。

7.根據權利要求1～6中的任一項所述的熱利用裝置，其中，

具有將所述配線層在該配線層的寬度方向上分離并且熱傳導率比所述配線層低的分離層。

8.根據權利要求6或7所述的熱利用裝置，其中，

所述分離層由選自AlN、AlOx、類金剛石碳、SiNx、SiOx、TaOx、TiO₂、Si中的一種或兩種以上的材料構成。

9.根據權利要求4～8中的任一項所述的熱利用裝置，其中，

具有分散配置于所述配線層，并且熱傳導率比所述配線層低的分散體。

10.一種熱利用裝置，其中，

具有：

電阻根據溫度而變化的熱敏電阻；

連接于所述熱敏電阻的臂部；以及

沿著所述臂部延伸，并且導電體形成寬度方向和厚度方向的緣部的至少一部分的帶狀區域，

所述導電體從連接于所述熱敏電阻的一端到另一端為止連續地延伸，并且在所述帶狀區域的內側具有與熱傳導率比所述導電體低的物質的界面。