[發明專利]襯底處理方法及襯底處理裝置

在審

• 申請號: 201880090846.5
• 申請日: 2018-11-22
• 公開（公告）號: CN111819668A
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發明（設計）人: 根來世;小林健司
• 申請（專利權）人: 株式會社斯庫林集團
• 主分類號: H01L21/308
• 分類號: H01L21/308;H01L21/304;H01L21/306;H01L21/336;H01L27/11556;H01L27/11582;H01L29/788;H01L29/792
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 唐崢

1.襯底處理方法，其包括下述工序：

蝕刻液制備工序，通過將有機堿、氧化劑與水混合，從而制備包含有機堿、氧化劑和水、但不含氟化氫化合物的堿性蝕刻液；和

選擇蝕刻工序，將所述蝕刻液制備工序中制備的所述蝕刻液供給至露出了多晶硅膜和氧化硅膜的襯底，在抑制所述氧化硅膜的蝕刻的同時對所述多晶硅膜進行蝕刻。

2.如權利要求1所述的襯底處理方法，其中，所述蝕刻液制備工序為制備由所述有機堿、所述氧化劑和所述水形成的堿性液體的工序。

3.如權利要求1或2所述的襯底處理方法，其中，所述襯底包含：

層疊膜，其包含以所述多晶硅膜與所述氧化硅膜相互交替的方式在所述襯底的厚度方向上層疊的多張所述多晶硅膜和多張所述氧化硅膜；和

凹部，其從所述襯底的最外表面沿所述襯底的厚度方向凹入，并將所述多張多晶硅膜和所述多張氧化硅膜貫通，

所述選擇蝕刻工序包括至少向所述凹部內供給所述蝕刻液的工序。

4.如權利要求1～3中任一項所述的襯底處理方法，其中，在所述選擇蝕刻工序之前，還包括向所述襯底供給氧化膜除去液從而將所述多晶硅膜的自然氧化膜除去的自然氧化膜除去工序。

5.如權利要求1～4中任一項所述的襯底處理方法，其中，所述多晶硅膜為通過執行下述多個工序而得到的薄膜，所述多個工序包括：使多晶硅堆積的堆積工序；以及，對所述堆積工序中堆積的所述多晶硅進行加熱的熱處理工序。

6.如權利要求1～5中任一項所述的襯底處理方法，其中，所述蝕刻液制備工序包括使所述蝕刻液的溶解氧濃度降低的溶解氧濃度變更工序。

7.如權利要求1～6中任一項所述的襯底處理方法，其還包括使與保持于所述襯底的所述蝕刻液接觸的氣氛中的氧濃度降低的氣氛氧濃度變更工序。

8.如權利要求1～7中任一項所述的襯底處理方法，其中，所述蝕刻液制備工序包括對所述蝕刻液中的所述氧化劑的濃度進行變更的氧化劑濃度變更工序。

9.襯底處理裝置，其具備：

襯底保持單元，其對露出了多晶硅膜和氧化硅膜的襯底進行保持；

蝕刻液制備單元，其通過將有機堿、氧化劑與水混合，從而制備包含有機堿、氧化劑和水、但不含氟化氫化合物的堿性蝕刻液；

蝕刻液供給單元，其將通過所述蝕刻液制備單元制備的所述蝕刻液供給至保持于所述襯底保持單元的所述襯底；和

控制裝置，其對所述蝕刻液制備單元及蝕刻液供給單元進行控制，

所述控制裝置執行下述工序：

蝕刻液制備工序，使所述蝕刻液制備單元制備所述蝕刻液；和

選擇蝕刻工序，使所述蝕刻液供給單元將所述蝕刻液供給至所述襯底，在抑制所述氧化硅膜的蝕刻的同時對所述多晶硅膜進行蝕刻。

10.如權利要求9所述的襯底處理裝置，其中，所述蝕刻液制備單元為制備由所述有機堿、所述氧化劑和所述水形成的堿性液體的單元。

11.如權利要求9或10所述的襯底處理裝置，其中，所述襯底包含：

層疊膜，其包含以所述多晶硅膜與所述氧化硅膜相互交替的方式在所述襯底的厚度方向上層疊的多張所述多晶硅膜和多張所述氧化硅膜；和

凹部，其從所述襯底的最外表面沿所述襯底的厚度方向凹入，并將所述多張多晶硅膜和所述多張氧化硅膜貫通，

所述蝕刻液供給單元包含至少向所述凹部內供給所述蝕刻液的單元。

12.如權利要求9～11中任一項所述的襯底處理裝置，其中，所述襯底處理裝置還具備氧化膜除去液供給單元，所述氧化膜除去液供給單元將氧化膜除去液供給至保持于所述襯底保持單元的所述襯底，

所述控制裝置還執行自然氧化膜除去工序：在所述選擇蝕刻工序之前，使所述氧化膜除去液供給單元將所述氧化膜除去液供給至所述襯底，從而將所述多晶硅膜的自然氧化膜除去。