[發明專利]包含三維發光二極管的光電設備

在審

• 申請號: 201880090490.5
• 申請日: 2018-12-06
• 公開（公告）號: CN111788701A
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 皮埃爾·楚爾菲安;伯努瓦·阿姆斯塔特;菲力浦·吉萊
• 申請（專利權）人: 艾利迪公司
• 主分類號: H01L33/04
• 分類號: H01L33/04;H01L33/06
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 譚營營;胡彬

1.一種光電設備(10)，包括：

基板(12)；

三維半導體元件(20)，主要由第一化學元素和第二化學元素制成，并位于所述基板(12)上；

有源區(24)，至少部分地覆蓋所述三維半導體元件(20)的側壁，并且包括主要由第一和第二化學元素制成的至少一個第一層以及主要由所述第一和第二化學元素和第三化學元素制成的至少一個第二層的堆疊；

第三層(26)，覆蓋所述有源區，所述第三層主要由第一、第二和第三化學元素以及第四化學元素制成，隨著到所述基板(12)的距離的增加，所述第三層的第三和第四化學元素的質量比例增加或減少；以及

第四層(28)，主要由所述第一和第二化學元素制成，并覆蓋所述第三層(26)。

2.根據權利要求1所述的光電設備，其中，所述有源區(24)能夠發射電磁輻射，并且其中，所述第三層(26)是載流子阻擋層。

3.根據權利要求1或2所述的光電設備，其中，所述第三層(26)中的所述第三化學元素的含量在0.1％至10％的范圍內。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的光電設備，其中，所述第三層(26)中的所述第四化學元素的含量在10％至40％的范圍內。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的光電設備，其中，所述第一化學元素為III族元素。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的光電設備，其中，所述第一化學元素是鎵。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的光電設備，其中，所述第二化學元素為V族元素。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的光電設備，其中，所述第二化學元素是氮。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的光電設備，其中，所述第三化學元素為III族元素。

10.根據權利要求1至9中任一項所述的光電設備，其中，所述第三化學元素是銦。

11.根據權利要求1至10中任一項所述的光電設備，其中，所述第四化學元素為III族元素。

12.根據權利要求1至11中任一項所述的光電設備，其中，所述第四化學元素為是鋁。

13.根據權利要求1至12中任一項所述的光電設備，其中，所述半導體元件(20)為線形。

14.根據權利要求1至12中任一項所述的光電設備，其中，所述半導體元件(20)為棱錐形。

15.根據權利要求1至14中任一項所述的光電設備，其中，所述第三層(26)中的帶隙的最大變化小于不包含所述第三化學元素的同一層的帶隙的最大變化。