[發(fā)明專利]寬視野電光調(diào)制器以及制造和使用它的方法和系統(tǒng)

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201880090400.2
• 申請日: 2018-12-26
• 公開（公告）號: CN112740100A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發(fā)明（設計）人: B·施密特;P·S·班克斯;C·S·圖威;C·A·埃伯斯
• 申請（專利權）人: 恩耐股份有限公司
• 主分類號: G02F1/03
• 分類號: G02F1/03
• 代理公司: 中國貿(mào)促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 楊小明

1.一種具有光軸的電光調(diào)制器，包括：

第一電光材料，被配置為接收光，第一電光材料具有第一光軸，第一電光材料位于調(diào)制器內(nèi)，使得第一光軸不平行于調(diào)制器的光軸；

用于改變從第一電光材料輸出的光的偏振狀態(tài)以產(chǎn)生經(jīng)旋轉(zhuǎn)的光的組件；和

第二電光材料，被配置為使得經(jīng)旋轉(zhuǎn)的光通過第二電光材料，第二電光材料具有第二光軸，第二電光材料位于調(diào)制器內(nèi)，使得第二光軸不平行于調(diào)制器的光軸。

2.根據(jù)權利要求1所述的電光調(diào)制器，其中，第一電光材料和第二電光材料位于調(diào)制器中，使得第一光軸和第二光軸各自指向在調(diào)制器的視野之外。

3.根據(jù)權利要求1所述的電光調(diào)制器，其中，第一光軸指示通過第一電光材料的方向，沿著該方向穿過第一電光材料的光線不經(jīng)歷雙折射。

4.根據(jù)權利要求1所述的電光調(diào)制器，其中，第一光軸與調(diào)制器的光軸正交。

5.根據(jù)權利要求1所述的電光調(diào)制器，其中，第二光軸指向與第一光軸相反的方向。

6.根據(jù)權利要求1所述的電光調(diào)制器，其中，第一電光材料和第二電光材料的厚度大致相等。

7.根據(jù)權利要求1所述的電光調(diào)制器，其中，第一電光材料和第二電光材料的厚度均小于10mm。

8.根據(jù)權利要求7所述的電光調(diào)制器，其中，第一電光材料和第二電光材料的厚度均小于10μm。

9.根據(jù)權利要求1所述的電光調(diào)制器，其中，第一電光材料和第二電光材料各自為雙折射晶體。

10.根據(jù)權利要求1所述的電光調(diào)制器，其中，第一電光材料和第二電光材料中的至少一種選自包含鈮酸鋰(LiNbO₃)和鉭酸鋰(LiTaO₃)的組。

11.根據(jù)權利要求1所述的電光調(diào)制器，其中，第一電光材料和第二電光材料中的至少一種選自鈮酸鉭酸鋰LiNb_xTa_(1-x)O₃的固溶體，這里，0≤x≤1。

12.根據(jù)權利要求1所述的電光調(diào)制器，其中，第一電光材料和第二電光材料中的至少一種是KD*P。

13.根據(jù)權利要求1所述的電光調(diào)制器，其中，第一電光材料和第二電光材料中的至少一種包括KDP或KD*P的同構物。

14.根據(jù)權利要求1所述的電光調(diào)制器，其中，第一電光材料和第二電光材料中的至少一種包括鐵電氧化物。

15.根據(jù)權利要求1所述的電光調(diào)制器，其中，第一電光材料和第二電光材料中的至少一種包括半導體化合物。

16.根據(jù)權利要求1所述的電光調(diào)制器，其中，第一電光材料和第二電光材料中的至少一種包括鐵電聚合物。

17.根據(jù)權利1所述的電光調(diào)制器，其中，用于改變光輸出的偏振狀態(tài)的組件包括半波片。

18.根據(jù)權利要求1所述的電光調(diào)制器，其中，用于改變光輸出的偏振狀態(tài)的組件包括光學旋轉(zhuǎn)器。

19.根據(jù)權利要求1所述的電光調(diào)制器，其中，用于改變光輸出的偏振狀態(tài)的組件包括被配置為提供零級波片的多個半波片。

20.根據(jù)權利要求1所述的電光調(diào)制器，其中，用于改變光輸出的偏振狀態(tài)的組件包括第二電光材料，第二電光材料相對于第一電光材料旋轉(zhuǎn)，使得第二電光材料用作半波片。