[發(fā)明專利]激光退火裝置、激光退火方法以及有源矩陣基板的制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201880090243.5 | 申請(qǐng)日: | 2018-03-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111788658A | 公開(公告)日: | 2020-10-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 野寺伸武;井上智博;小巖真司;道中悟志 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 堺顯示器制品株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/268 | 分類號(hào): | H01L21/268;H01L21/20;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司: | 深圳市賽恩倍吉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44334 | 代理人: | 王娟 |
| 地址: | 日本國(guó)大*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 激光 退火 裝置 方法 以及 有源 矩陣 制造 | ||
1.一種激光退火裝置,其特征在于,具有:
載物臺(tái),其具有容納基板的容納面;以及
激光照射裝置,其向所述容納面射出多個(gè)激光束,并在所述容納面形成照射區(qū)域,
所述激光照射裝置具有:
激光裝置,其射出激光束;以及
聚光單元,其具有微透鏡陣列和掩膜,接受從所述激光裝置中射出的所述激光束,并在所述照射區(qū)域內(nèi)形成所述多個(gè)激光束各自的聚光點(diǎn),所述微透鏡陣列具有排列成m行n列的多個(gè)微透鏡,所述掩膜具有多個(gè)開口部,其中每個(gè)開口部是針對(duì)所述多個(gè)微透鏡中每一個(gè)配置的,
所述多個(gè)激光束是由排列成所述m行n列的所述多個(gè)微透鏡中的p行q列的微透鏡來(lái)形成的p行q列的激光束,其中,p<m或q<n,
所述激光照射裝置還具有擺動(dòng)機(jī)構(gòu),所述擺動(dòng)機(jī)構(gòu)改變所述聚光單元和所述照射區(qū)域之間的配置關(guān)系,使得從排列成所述m行n列的所述多個(gè)微透鏡中能夠選擇至少2個(gè)不同的p行q列的微透鏡組。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光退火裝置,其特征在于,所述激光束大到能夠照射比排列成所述m行n列的所述多個(gè)微透鏡中的p行q列的微透鏡更多的微透鏡,
所述激光照射裝置還具有遮光板,所述遮光板具有劃定所述照射區(qū)域的透光部,
所述透光部具有與排列成所述m行n列的所述多個(gè)微透鏡中的p行q列的微透鏡對(duì)應(yīng)的面積,其中p<m或q<n。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的激光退火裝置,其特征在于,所述遮光板配置在所述激光裝置與所述聚光單元之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的激光退火裝置,其特征在于,所述遮光板配置在所述聚光單元與所述基板之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中的任一項(xiàng)所述的激光退火裝置,其特征在于,所述擺動(dòng)機(jī)構(gòu)使所述聚光單元相對(duì)于所述照射區(qū)域的位置在與所述激光照射裝置的掃描方向正交的擺動(dòng)方向上移動(dòng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-4中的任一項(xiàng)所述的激光退火裝置,其特征在于,所述擺動(dòng)機(jī)構(gòu)使所述聚光單元相對(duì)于所述照射區(qū)域的位置在所述激光照射裝置的掃描方向上移動(dòng)。
7.一種激光退火方法,其是通過(guò)使多個(gè)激光束依次聚集在非晶硅膜的多個(gè)區(qū)域內(nèi),從而形成排列成M行N列的多個(gè)晶硅島的方法,其特征在于,包括:
工序A:準(zhǔn)備載物臺(tái)和激光照射裝置,所述載物臺(tái)具有容納基板的容納面,所述激光照射裝置向所述容納面射出多個(gè)激光束,并在所述容納面上形成照射區(qū)域,具有激光裝置和聚光單元,所述激光裝置射出激光束,所述聚光單元具有微透鏡陣列和掩膜,所述微透鏡陣列具有排列成m行n列的多個(gè)微透鏡,所述掩膜具有多個(gè)開口部,其中每個(gè)開口部是針對(duì)多個(gè)微透鏡中的每一個(gè)而配置的;
工序B1:在所述容納面上配置表面具有非晶硅膜的基板;以及
工序C1:使用所述激光照射裝置,通過(guò)排列成所述m行n列的所述多個(gè)微透鏡中的p行q列或t行q列的微透鏡形成p行q列或t行q列的激光束作為所述多個(gè)激光束,同時(shí)在所述非晶硅膜的所述多個(gè)區(qū)域內(nèi)形成所述多個(gè)激光束各自的聚光點(diǎn),其中,p≤m且q≤n,t<p;以及
工序C2:在所述工序C1之后,使所述基板相對(duì)于所述照射區(qū)域沿列方向相對(duì)地移動(dòng)一個(gè)間距,
所述方法包括工序D:包括在所述工序C1之后進(jìn)行所述工序C2,然后再進(jìn)行所述工序C1的時(shí)序,在成為排列成所述M行N列的所述多個(gè)晶硅島的多個(gè)區(qū)域中的每一個(gè)中形成p次與每個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的聚光點(diǎn),
在M行q列的所有區(qū)域內(nèi)形成所述多個(gè)激光束的聚光點(diǎn)之前,進(jìn)行至少1次工序C3,所述工序C3:在所述工序C1之后,使用于對(duì)屬于所述多個(gè)區(qū)域中的某一列的M個(gè)區(qū)域中的一個(gè)區(qū)域形成p次聚光點(diǎn)的p個(gè)微透鏡組與用于對(duì)所述M個(gè)區(qū)域中的另一個(gè)區(qū)域形成p次聚光點(diǎn)的p個(gè)微透鏡組至少有1個(gè)微透鏡不同。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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